-
公开(公告)号:CN111118474A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911012145.2
申请日:2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明实施例涉及化学气相沉积设备及导流盘。本发明实施例提供一种导流盘,其包含:盘体,其具有多个贯穿孔;第一区,其从中心到所述盘体的第一半径,具有第一电导;第二区,其从所述第一半径到所述盘体的第二半径,具有第二电导;第三区,其从所述第二半径到所述盘体的第三半径,具有第三电导,其中所述第一半径小于所述第二半径,所述第二半径小于所述第三半径,且所述第二电导大于所述第一电导。还公开一种包含所述导流盘的化学气相沉积CVD设备。