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公开(公告)号：CN109559965B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201710872985.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种制程设备及其组装方法。制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。
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公开(公告)号：CN104779197B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410105822.6
申请日：2014-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
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公开(公告)号：CN109763115A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811258690.5
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 提供一种化学气相沉积设备，化学气相沉积设备包括化学气相沉积腔室，上述化学气相沉积腔室包括多个壁部分，基座设置于化学气相沉积腔室内，配置以支撑基板，进气口设置于壁部分的其中的一个上，且位于基座的基板支撑部分下方。除此之外，气流引导构件设置于化学气相沉积腔室内，耦接至进气口，并配置以将来自进气口的清洁气体分配至化学气相沉积腔室。
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公开(公告)号：CN106971962A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611222858.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体制造设备，包括处理室、至少一个反射器和至少一个电磁波发射器件。反射器存在于处理室中。在处理室中，电磁波发射器件存在于反射器与晶圆之间。电磁波发射器件配置为向晶圆发射电磁波光谱。关于电磁波光谱，反射器具有对于Al2O3的相对反射率，并且反射器的相对反射率在从约70％至约120％的范围内。本发明的实施例还提供了一种用于处理晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN100390926C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410069268.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/743 , H01L21/76283 , H01L21/76286
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法提供一种具有上表面的中间结构，隔离沟道形成于中间结构上并且在中间结构上沉积绝缘材料，其中绝缘材料填入隔离沟道，多余的绝缘材料高于中间结构的上表面，去除一部分多余的绝缘材料，直至在中间结构的上表面形成一预定的绝缘材料厚度。然后在位于隔离沟道的绝缘材料中形成一接触开口，其中接触开口延伸至至少一部分的中间结构。然后将接触材料沉积在绝缘材料上，其中接触材料填入接触开口。接着去除多余的接触材料，其中多余的接触材料高于绝缘材料。最后去除多余的绝缘材料，直至暴露出中间结构的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1540741A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03122408.3
申请日：2003-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/76
Abstract: 一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤：提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩膜层；进行第一平坦化步骤，由第一研浆移除一部分的该介电层，并暴露出该掩膜层；进行第二平坦化步骤，由第二研浆移除另一部分的该介电层及一部分的该掩膜层，其中该第一平坦化步骤的移除速率高于该第二平坦化步骤；移除另一部分的该掩膜层；以及移除该垫氧化层。由以上方法，可在制程中保护组件区域，并且在晶圆区域及晶粒区域形成均匀表面结构的浅沟渠隔离。
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公开(公告)号：CN111952213A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010191658.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105
Abstract: 本发明实施例涉及一种晶片处理装置。该晶片处理装置包含：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间。所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。所述晶片处理装置进一步包含：主要反射器，其安置于所述辐射源中；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间。所述粗糙表面可设置于所述透明窗、所述主要反射器及/或所述次要反射器上方。
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公开(公告)号：CN109559965A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710872985.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种制程设备及其组装方法。制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。
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公开(公告)号：CN104779197A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410105822.6
申请日：2014-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
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公开(公告)号：CN1610058A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410069268.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/743 , H01L21/76283 , H01L21/76286
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法提供一种具有上表面的中间结构，隔离沟道形成于中间结构上并且在中间结构上沉积绝缘材料，其中绝缘材料填入隔离沟道，多余的绝缘材料高于中间结构的上表面，去除一部分多余的绝缘材料，直至在中间结构的上表面形成一预定的绝缘材料厚度。然后在位于隔离沟道的绝缘材料中形成一接触开口，其中接触开口延伸至至少一部分的中间结构。然后将接触材料沉积在绝缘材料上，其中接触材料填入接触开口。接着去除多余的接触材料，其中多余的接触材料高于绝缘材料。最后去除多余的绝缘材料，直至暴露出中间结构的上表面。
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