-
公开(公告)号：CN106971962A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611222858.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体制造设备，包括处理室、至少一个反射器和至少一个电磁波发射器件。反射器存在于处理室中。在处理室中，电磁波发射器件存在于反射器与晶圆之间。电磁波发射器件配置为向晶圆发射电磁波光谱。关于电磁波光谱，反射器具有对于Al2O3的相对反射率，并且反射器的相对反射率在从约70％至约120％的范围内。本发明的实施例还提供了一种用于处理晶圆的方法。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
