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公开(公告)号：CN111952213A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010191658.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105
Abstract: 本发明实施例涉及一种晶片处理装置。该晶片处理装置包含：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间。所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。所述晶片处理装置进一步包含：主要反射器，其安置于所述辐射源中；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间。所述粗糙表面可设置于所述透明窗、所述主要反射器及/或所述次要反射器上方。
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