公开(公告)号：CN1540741A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN03122408.3

申请日：2003-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾同庆 ,  章勋明 ,  杨礼嘉 ,  侯全评

IPC: H01L21/76

Abstract: 一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤：提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩膜层；进行第一平坦化步骤，由第一研浆移除一部分的该介电层，并暴露出该掩膜层；进行第二平坦化步骤，由第二研浆移除另一部分的该介电层及一部分的该掩膜层，其中该第一平坦化步骤的移除速率高于该第二平坦化步骤；移除另一部分的该掩膜层；以及移除该垫氧化层。由以上方法，可在制程中保护组件区域，并且在晶圆区域及晶粒区域形成均匀表面结构的浅沟渠隔离。

公开(公告)号：CN107123618B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201611219061.2

申请日：2016-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玮耿 ,  林加明 ,  邓宪哲 ,  施勇州 ,  佘坤典 ,  杨礼嘉 ,  朱韵文

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 一种制造浅沟槽隔离(STI)结构的方法包括以下步骤。在介于0.5托至1.5托的第一压力下并且在介于30摄氏度到105摄氏度的第一温度下引入并且混合具有500sccm至750sccm的体积流量的硅烷基前体和具有300sccm至600sccm的体积流量的氮基前体，以在衬底的沟槽中沉积可流动介电层。然后，在介于300托至650托的范围内的第二压力下和在介于50摄氏度到250摄氏度的范围内的第二温度下引入并混合臭氧气体和氧气，以处理可流动介电层，其中，臭氧气体和氧气的体积流量比率介于从1:1至3:1范围内。提供了用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及用于制造鳍式场效应晶体管和浅沟槽隔离件的方法。

公开(公告)号：CN107123618A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201611219061.2

申请日：2016-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玮耿 ,  林加明 ,  邓宪哲 ,  施勇州 ,  佘坤典 ,  杨礼嘉 ,  朱韵文

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种制造浅沟槽隔离(STI)结构的方法包括以下步骤。在介于0.5托至1.5托的第一压力下并且在介于30摄氏度到105摄氏度的第一温度下引入并且混合具有500sccm至750sccm的体积流量的硅烷基前体和具有300sccm至600sccm的体积流量的氮基前体，以在衬底的沟槽中沉积可流动介电层。然后，在介于300托至650托的范围内的第二压力下和在介于50摄氏度到250摄氏度的范围内的第二温度下引入并混合臭氧气体和氧气，以处理可流动介电层，其中，臭氧气体和氧气的体积流量比率介于从1:1至3:1范围内。提供了用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及用于制造鳍式场效应晶体管和浅沟槽隔离件的方法。