公开(公告)号：CN100515671C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410059424.1

申请日：2004-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪伟伦 ,  庄佳哲 ,  钟基伟 ,  邱文智 ,  陈盈和 ,  章勋明

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明揭示一种氧化物研磨制程，是一化学机械研磨制程的流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后，一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用，以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force)，能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法，具有相同的产出，并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。

公开(公告)号：CN106847813A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610809101.2

申请日：2016-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗鸿 ,  许加融 ,  蔡腾群 ,  徐梓翔 ,  杨丰诚 ,  陈盈和

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/785

Abstract: 半导体器件包括用于鳍式场效应晶体管(FET)的鳍结构。该鳍结构包括突出于衬底的基层、设置在基层上方的中间层和设置在中间层上方的上层。该鳍结构还包括第一保护层和由与第一保护层的不同的材料制成的第二保护层。该中间层包括设置在基层上方的第一半导体层、覆盖第一半导体层的至少侧壁的第一保护层和覆盖第一保护层的至少侧壁的第二保护层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN100390926C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200410069268.7

申请日：2004-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯全评 ,  章勋明 ,  陈盈和 ,  曾同庆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法提供一种具有上表面的中间结构，隔离沟道形成于中间结构上并且在中间结构上沉积绝缘材料，其中绝缘材料填入隔离沟道，多余的绝缘材料高于中间结构的上表面，去除一部分多余的绝缘材料，直至在中间结构的上表面形成一预定的绝缘材料厚度。然后在位于隔离沟道的绝缘材料中形成一接触开口，其中接触开口延伸至至少一部分的中间结构。然后将接触材料沉积在绝缘材料上，其中接触材料填入接触开口。接着去除多余的接触材料，其中多余的接触材料高于绝缘材料。最后去除多余的绝缘材料，直至暴露出中间结构的上表面。

公开(公告)号：CN1761047A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510073299.4

申请日：2005-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱文智 ,  陈盈和 ,  余振华

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042

Abstract: 本发明涉及一种使用化学机械研磨法制造半导体元件的内连线结构的方法，特别涉及一种用于制造半导体元件的化学机械研磨方法。首先，使用第一研磨平台与第一研磨浆移除第一内连线材料层的第一部分，然后使用第二研磨平台与第二研磨浆移除第一内连线材料层的第二部分，接着使用第二研磨平台与第三研磨浆移除第二内连线材料层的第一部分，以及使用第三研磨平台与第四研磨浆移除第二内连线材料层的第二部分。本发明所述使用化学机械研磨法制造半导体元件的内连线结构的方法可以提高半导体元件的产出。

公开(公告)号：CN1217389C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02124398.0

申请日：2002-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周子仁 ,  章勋明 ,  陈盈和 ,  李胜男

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种low-k介电材料层结构，该介电材料层结构包括：一基底；多个多孔性介电材料，由下往上依序设置于上述基底上；以及多个致密介电材料，交错地设置于上述多孔性介电材料间，其中所述多孔性介电材料的表面积由下往上递减。本发明的介电材料层结构可防止多孔性介电材料剥落(peeling)的问题发生。

公开(公告)号：CN112864095A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010824089.9

申请日：2020-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许书维 ,  沈育仁 ,  郑皓云 ,  吴稚伟 ,  陈盈淙 ,  陈盈和

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。

公开(公告)号：CN106935493B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201611246910.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育仁 ,  陈盈和 ,  卢永诚

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: 本案揭露一种形成半导体装置的方法。此方法包含提供一前驱物，其具有一基板和位于基板上的栅极堆叠，而栅极堆叠各包含一电极层、一第一硬罩(HM)层在电极层上，和一第二HM层其在第一HM层上。此方法进一步地包含沉积一介电层在基板和栅极堆叠上，且填充栅极堆叠之间的空间；并且执行一第一化学机械平坦化(CMP)程序以部分地移除介电层。此方法更进一步地包含执行一蚀刻程序以移除第二HM层且部分地移除介电层，借以暴露第一HM层。此方法更进一步地包含执行第二CMP制程直到至少部分地移除第一HM层。

公开(公告)号：CN106935493A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611246910.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育仁 ,  陈盈和 ,  卢永诚

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: 本案揭露一种形成半导体装置的方法。此方法包含提供一前驱物，其具有一基板和位于基板上的栅极堆叠，而栅极堆叠各包含一电极层、一第一硬罩(HM)层在电极层上，和一第二HM层其在第一HM层上。此方法进一步地包含沉积一介电层在基板和栅极堆叠上，且填充栅极堆叠之间的空间；并且执行一第一化学机械平坦化(CMP)程序以部分地移除介电层。此方法更进一步地包含执行一蚀刻程序以移除第二HM层且部分地移除介电层，借以暴露第一HM层。此方法更进一步地包含执行第二CMP制程直到至少部分地移除第一HM层。

公开(公告)号：CN100353521C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200510073299.4

申请日：2005-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱文智 ,  陈盈和 ,  余振华

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042

Abstract: 本发明涉及一种使用化学机械研磨法制造半导体元件的内连线结构的方法，特别涉及一种用于制造半导体元件的化学机械研磨方法。首先，使用第一研磨平台与第一研磨浆移除第一内连线材料层的第一部分，然后使用第二研磨平台与第二研磨浆移除第一内连线材料层的第二部分，接着使用第二研磨平台与第三研磨浆移除第二内连线材料层的第一部分，以及使用第三研磨平台与第四研磨浆移除第二内连线材料层的第二部分。本发明所述使用化学机械研磨法制造半导体元件的内连线结构的方法可以提高半导体元件的产出。

公开(公告)号：CN106952808A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611191618.6

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜于婷 ,  陈盈和

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823431 ,  H01L22/26 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种平坦化方法，包括至少两个步骤。一个步骤是将至少一种杂质植入到晶圆中以在晶圆中形成研磨停止层。另一步骤是研磨晶圆的顶表面，直至到达研磨停止层。