公开(公告)号：CN110962040B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201910925854.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘志文 ,  郑皓云 ,  涂哲豪 ,  陈科维

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B57/00 ,  B24B7/22

Abstract: 本公开实施例提供一种研磨方法以及研磨系统，研磨系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。一旦在腔室内形成浆料储存池，所述研磨系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。在CMP工艺期间，所述研磨系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。

公开(公告)号：CN112864095A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010824089.9

申请日：2020-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许书维 ,  沈育仁 ,  郑皓云 ,  吴稚伟 ,  陈盈淙 ,  陈盈和

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。

公开(公告)号：CN110962040A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910925854.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘志文 ,  郑皓云 ,  涂哲豪 ,  陈科维

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B57/00 ,  B24B7/22

Abstract: 本公开实施例提供一种清洁方法以及清洁系统，清洁系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。一旦在腔室内形成浆料储存池，所述清洁系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。在CMP工艺期间，所述清洁系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。