公开(公告)号：CN119008517A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410550370.6

申请日：2024-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑名翔 ,  张庭魁 ,  黄富明 ,  吴历杰 ,  涂哲豪

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供用于化学机械研磨(CMP)的方法及用于形成半导体装置的互连结构的方法。方法包括以下步骤：利用CMP浆料在介电结构的表面上执行CMP，以移除形成在该介电结构中且具有由该表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。在一些实例中，该CMP浆料包括磨料、氧化剂及用以减少该磨料在该介电结构的表面上的聚集的化合物。在一些实例中，该化合物具有正离子，这些正离子与该磨料相互作用以减少该磨料在介电材料上的聚集。在一些实例中，该CMP浆料包含氢氧化钾。在一些实例中，该化合物包括铵盐。

公开(公告)号：CN110277346A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810890238.4

申请日：2018-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺泽良 ,  刘志文 ,  林佑祥 ,  梁以晴 ,  涂哲豪 ,  陈科维

IPC: H01L21/762

Abstract: 本公开实施例提供半导体制作方法，特别是半导体结构的形成方法，其于形成栅极结构时定义栅极结构的高度。移除栅极结构的一部分以形成栅极线路末端区。上述移除步骤形成的凹陷填有介电材料，且介电材料的材料性质适于形成金属接点的后续接点形成制程。形成金属接点结构穿过填有介电层的凹陷，以连接至栅极结构及/或源极/漏极区。

公开(公告)号：CN110948375A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910919205.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟泽良 ,  涂哲豪 ,  陈科维 ,  刘志文

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开涉及基于区域的CMP目标控制。本公开涉及晶圆的化学机械抛光中的基于区域的CMP目标控制的技术。在晶圆的表面上标识多个区域。在CMP工艺序列中，在每个区域上实现CMP目标。该序列中的每个CMP工艺使用对其他区域为选择性的CMP工艺来仅为一个区域实现CMP目标。

公开(公告)号：CN107150288A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611009306.9

申请日：2016-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘志文 ,  涂哲豪 ,  粘博钦 ,  洪伟伦 ,  陈盈淙

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/30 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67092 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54493 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20

Abstract: 一种化学机械研磨方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(CMP)工艺至晶圆的一第一侧，以及于CMP工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。该化学机械研磨方法能够使晶圆的表面更为平坦。

公开(公告)号：CN110962040B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201910925854.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘志文 ,  郑皓云 ,  涂哲豪 ,  陈科维

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B57/00 ,  B24B7/22

Abstract: 本公开实施例提供一种研磨方法以及研磨系统，研磨系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。一旦在腔室内形成浆料储存池，所述研磨系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。在CMP工艺期间，所述研磨系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。

公开(公告)号：CN110962040A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910925854.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘志文 ,  郑皓云 ,  涂哲豪 ,  陈科维

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B57/00 ,  B24B7/22

Abstract: 本公开实施例提供一种清洁方法以及清洁系统，清洁系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。一旦在腔室内形成浆料储存池，所述清洁系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。在CMP工艺期间，所述清洁系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。

公开(公告)号：CN110948375B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201910919205.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟泽良 ,  涂哲豪 ,  陈科维 ,  刘志文

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开涉及基于区域的CMP目标控制。本公开涉及晶圆的化学机械抛光中的基于区域的CMP目标控制的技术。在晶圆的表面上标识多个区域。在CMP工艺序列中，在每个区域上实现CMP目标。该序列中的每个CMP工艺使用对其他区域为选择性的CMP工艺来仅为一个区域实现CMP目标。

公开(公告)号：CN222214122U

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202420887532.0

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈稘翔 ,  林政锜 ,  侯德谦 ,  涂哲豪 ,  张棠贵 ,  陈科维 ,  黄惠琪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开提供一种半导体晶圆处理工具，包括导电夹持环和多个抓取顶针，其中半导体晶圆处理工具配置成在打开配置和关闭配置之间变化，在打开配置时的抓取顶针的顶表面分隔于导电夹持环的上表面上方以承接半导体晶圆，在关闭配置时的抓取顶针的顶表面没有分隔于导电夹持环的上表面上方以将半导体晶圆放置在导电夹持环上。半导体晶圆处理工具还包括连接至导电夹持环的接地件，以及配置成绕着轴旋转导电夹持环和导电夹持环上承接的半导体晶圆的马达。