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公开(公告)号：CN113053800B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202011221811.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开涉及互连层及其制造方法。本公开描述了一种用于在导电结构中平坦化钌金属层的方法。该方法包括在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成第一导电结构包括在设置在第二导电结构上的电介质层中形成开口，以及在开口中沉积钌金属以过度填充开口。形成第一导电结构包括掺杂钌金属以及抛光经掺杂的钌金属以形成第一导电结构。
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公开(公告)号：CN103367316A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210487708.5
申请日：2012-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/7684 , H01L22/30 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。
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公开(公告)号：CN106558484A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
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公开(公告)号：CN119008517A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410550370.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供用于化学机械研磨(CMP)的方法及用于形成半导体装置的互连结构的方法。方法包括以下步骤：利用CMP浆料在介电结构的表面上执行CMP，以移除形成在该介电结构中且具有由该表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。在一些实例中，该CMP浆料包括磨料、氧化剂及用以减少该磨料在该介电结构的表面上的聚集的化合物。在一些实例中，该化合物具有正离子，这些正离子与该磨料相互作用以减少该磨料在介电材料上的聚集。在一些实例中，该CMP浆料包含氢氧化钾。在一些实例中，该化合物包括铵盐。
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公开(公告)号：CN113134783A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110049486.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 本公开提供一种化学机械平坦化设备。化学机械平坦化设备包括一多区域平台包括多个独立控制的同心超环形。每个同心超环形的旋转方向、旋转速度、作用力、相对高度和温度都是单独控制的。同心研磨垫固定到在每个单独控制的同心超环形的一上表面。化学机械平坦化设备包括一单一中心浆料源或包括用于每个单独控制的同心超环形的单独浆料源。
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公开(公告)号：CN112405335A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010851423.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。
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公开(公告)号：CN104752338A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410843919.7
申请日：2014-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/02337 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31055 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76822 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。
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公开(公告)号：CN113053800A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011221811.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开涉及互连层及其制造方法。本公开描述了一种用于在导电结构中平坦化钌金属层的方法。该方法包括在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成第一导电结构包括在设置在第二导电结构上的电介质层中形成开口，以及在开口中沉积钌金属以过度填充开口。形成第一导电结构包括掺杂钌金属以及抛光经掺杂的钌金属以形成第一导电结构。
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公开(公告)号：CN110153872B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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公开(公告)号：CN106558484B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
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