公开(公告)号：CN112405335A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010851423.X

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜宏 ,  廖高锋 ,  何信颖 ,  萧钧文 ,  庄胜超 ,  张庭熏 ,  黄富明 ,  林均洁 ,  张简鹏崇 ,  崔骥 ,  陈亮光 ,  陈志宏 ,  陈科维

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。

公开(公告)号：CN112420612B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202010848997.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简鹏崇 ,  廖高锋 ,  萧钧文 ,  何信颖 ,  庄胜超

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。

公开(公告)号：CN112420612A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010848997.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简鹏崇 ,  廖高锋 ,  萧钧文 ,  何信颖 ,  庄胜超

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。

公开(公告)号：CN222394812U

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202420893528.5

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈香谷 ,  萧钧文 ,  池芳仪 ,  张文苓

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置，包括第一导电部件形成于基板之上；第二导电部件形成于基板之上，且第二导电部件的顶表面的最高点高于第一导电部件的顶表面的最高点；第一保形介电层位于第一导电部件和第二导电部件之上；保形氧化物层位于第一保形介电层上方，保形氧化物层包括设置在第一导电部件正上方的第一部分和设置在第二导电部件上方的第二部分，第一部分的厚度等于第二部分的厚度；第二保形介电层位于保形氧化物层上，第二保形介电层包括非平面的顶表面；多层介电结构位于第二保形介电层上并具有平坦的顶表面；第一接合结构位于第一导电部件上并电性耦合到第一导电部件；第二接合结构位于第二导电部件上并电性耦合到第二导电部件。