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公开(公告)号：CN108122828A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710731428.7
申请日：2017-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/76895 , H01L23/535
Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113134783A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110049486.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 本公开提供一种化学机械平坦化设备。化学机械平坦化设备包括一多区域平台包括多个独立控制的同心超环形。每个同心超环形的旋转方向、旋转速度、作用力、相对高度和温度都是单独控制的。同心研磨垫固定到在每个单独控制的同心超环形的一上表面。化学机械平坦化设备包括一单一中心浆料源或包括用于每个单独控制的同心超环形的单独浆料源。
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公开(公告)号：CN112405335A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010851423.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122828B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710731428.7
申请日：2017-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106558484A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
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公开(公告)号：CN110153872B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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公开(公告)号：CN106558484B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
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公开(公告)号：CN110153872A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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