公开(公告)号：CN108122828B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201710731428.7

申请日：2017-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟健豪 ,  林长生 ,  黄国峰 ,  吴历杰 ,  林均洁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN108122828A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710731428.7

申请日：2017-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟健豪 ,  林长生 ,  黄国峰 ,  吴历杰 ,  林均洁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535

Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。