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公开(公告)号：CN108122828A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710731428.7
申请日：2017-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/76895 , H01L23/535
Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113284843A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011629512.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/535 , H01L23/48
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底上方形成第一导电部件；在第一导电部件上方形成ILD层；图案化ILD层以形成沟槽；以及在图案化的ILD层上方形成导电层以填充沟槽。该方法还包括抛光导电层以形成被配置为使第一导电部件与第二导电部件互连的通孔接触件，其中，抛光导电层暴露ILD层的顶面，抛光ILD层的暴露的顶面，使得通孔接触件的顶部部分从ILD层的暴露的顶面突出，并且在通孔接触件上方形成第二导电部件，使得通孔接触件的顶部部分延伸到第二导电部件中，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN108122828B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710731428.7
申请日：2017-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110957217A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910921765.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , C09K3/14
Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。
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公开(公告)号：CN119008517A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410550370.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供用于化学机械研磨(CMP)的方法及用于形成半导体装置的互连结构的方法。方法包括以下步骤：利用CMP浆料在介电结构的表面上执行CMP，以移除形成在该介电结构中且具有由该表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。在一些实例中，该CMP浆料包括磨料、氧化剂及用以减少该磨料在该介电结构的表面上的聚集的化合物。在一些实例中，该化合物具有正离子，这些正离子与该磨料相互作用以减少该磨料在介电材料上的聚集。在一些实例中，该CMP浆料包含氢氧化钾。在一些实例中，该化合物包括铵盐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556360B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910211336.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
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公开(公告)号：CN110556360A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910211336.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
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公开(公告)号：CN110783186B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910696438.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L23/48
Abstract: 提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。
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公开(公告)号：CN104733287A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410794995.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28123 , B24B37/20 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/67051 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
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公开(公告)号：CN110223908B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910309885.6
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/336 , B24B37/20
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
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