公开(公告)号：CN104051511B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310298850.X

申请日：2013-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈继元 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  颜名良 ,  蔡庆威 ,  江国诚 ,  张惠政 ,  王志豪

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露出部分N-FET区和部分P-FET区，以及在N-FET区的露出部分和P-FET区的露出部分之上形成氧化物层。P-FET区上方的氧化物层被改变，并且金属层形成在部分N-FET区和P-FET区上方。工件被退火以在N-FET区上方形成金属-绝缘层-半导体（MIS）隧穿二极管以及在P-FET区上方形成硅化物或锗化物材料。

公开(公告)号：CN104733287A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410794995.3

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙旭昌 ,  刘启人 ,  庄英良 ,  吴历杰 ,  陈亮光 ,  颜名良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/28123 ,  B24B37/20 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。

公开(公告)号：CN110223908B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201910309885.6

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙旭昌 ,  刘启人 ,  庄英良 ,  吴历杰 ,  陈亮光 ,  颜名良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。

公开(公告)号：CN110223908A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910309885.6

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙旭昌 ,  刘启人 ,  庄英良 ,  吴历杰 ,  陈亮光 ,  颜名良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。

公开(公告)号：CN104051511A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310298850.X

申请日：2013-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈继元 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  颜名良 ,  蔡庆威 ,  江国诚 ,  张惠政 ,  王志豪

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露出部分N-FET区和部分P-FET区，以及在N-FET区的露出部分和P-FET区的露出部分之上形成氧化物层。P-FET区上方的氧化物层被改变，并且金属层形成在部分N-FET区和P-FET区上方。工件被退火以在N-FET区上方形成金属-绝缘层-半导体（MIS）隧穿二极管以及在P-FET区上方形成硅化物或锗化物材料。