公开(公告)号：CN115832006A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210810748.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李溢芸 ,  黄才育 ,  王立廷 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的多个第一纳米结构和多个第二纳米结构。沿着鳍结构的侧壁和顶表面形成虚设栅极。使鳍结构的被虚设栅极暴露的部分凹陷，以形成第一凹部。在第一凹部中形成外延源极/漏极区域。将外延源极/漏极区域内的掺杂剂原子驱动到多个第二纳米结构中。去除虚设栅极和多个第一纳米结构。形成包绕多个第二纳米结构的替换栅极。

公开(公告)号：CN104766860B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201410403876.0

申请日：2014-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王立廷 ,  蔡腾群 ,  林正堂 ,  陈德芳 ,  张惠政

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 根据示例性实施例，提供了一种芯片。该芯片包括具有第一阈值的第一垂直器件和具有第二阈值的第二垂直器件。第一垂直器件包括第一源极；位于第一源极上方的第一沟道；位于第一沟道上方的第一漏极；邻近第一沟道的第一导电层；以及邻近第一导电层的第一栅极。第二垂直器件包括第二源极；位于第二源极上方的第二沟道；位于第二沟道上方的第二漏极；邻近第二沟道的第二导电层；以及邻近第二导电层的第二栅极。本发明涉及具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN105280642B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410440652.7

申请日：2014-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈德芳 ,  蔡腾群 ,  林正堂 ,  王立廷 ,  彭治棠

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 根据示例性实施例，提供了形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方形成第一氧化物层；在第一氧化物层上方形成第一伪层；蚀刻第一氧化物层和第一伪层以形成凹槽；在凹槽中形成第二伪层(以及对第二伪层进一步实施CMP并停止在第一伪层上)；去除第一伪层；去除第一氧化物层；以及蚀刻衬底以形成垂直结构。根据示例性实施例，提供了半导体器件。该半导体器件包括：衬底、嵌入在衬底中的STI；以及具有与STI基本对准的源极的垂直晶体管。本发明涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN105280702A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410804259.1

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭治棠 ,  黄泰钧 ,  蔡腾群 ,  林正堂 ,  陈德芳 ,  王立廷 ,  王建勋 ,  林焕哲 ,  卢永诚 ,  李资良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据示例性实施例，本发明提供了形成具有至少两个阻挡层的垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供垂直结构；在垂直结构的源极、沟道、和漏极上方提供第一阻挡层；以及在垂直结构的栅极和漏极上方提供第二阻挡层。

公开(公告)号：CN105280547A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410445247.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  林正堂 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  陈炳宏 ,  林焕哲 ,  卢永诚

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。

公开(公告)号：CN105047703A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510099898.7

申请日：2015-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  林正堂 ,  王立廷 ,  彭治棠 ,  陈德芳 ,  林宏达 ,  王建勋

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7391 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/083 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/42312

Abstract: 本发明提供了一种隧道场效应晶体管，包括漏极层、源极层、沟道层、金属栅极层和高k介电层。漏极层和源极层具有相反的导电类型。沟道层设置在漏极层和源极层之间。漏极层、沟道层和源极层中的至少一个具有基本恒定的掺杂浓度。金属栅极层设置在沟道层周围。高k介电层设置在金属栅极层和沟道层之间。本发明还提供了一种用于制造隧道场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN104701378A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410738332.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育樟 ,  卢文泰 ,  王立廷 ,  聂俊峰 ,  陈豪育 ,  张惠政

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体结构。该半导体结构包括第一半导体器件。第一半导体器件包括第一有源区域，第一有源区域具有第一掺杂区域和位于第一掺杂区域的上方的第二掺杂区域。第二掺杂区域包括第一底部和第一侧壁。第一底部包括第一底部内表面、第一底部外表面、第一底部高度和第一底部宽度。第一侧壁包括第一侧壁内表面、第一侧壁外表面、第一侧壁高度和第一侧壁宽度，第一侧壁高度大于第一底部高度。还提供了一种制造半导体器件的方法。本发明还提供共形掺杂的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102117805A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010159309.7

申请日：2010-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王立廷 ,  黄俊仁

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一半导体基板、多个有源区以及多个虚拟有源区。半导体基板具有一元件区以及一邻接于元件区的虚拟区。有源区位于元件区内。虚拟有源区位于虚拟区内。其中这些有源区的每一个在一第一方向具有第一尺寸以及在垂直于第一方向的一第二方向具有第二尺寸，且第一尺寸实质大于第二尺寸，而这些虚拟有源区的每一者在第一方向具有第三尺寸以及在第二方向具有第四尺寸，且第三尺寸实质大于第四尺寸。这些虚拟有源区的设置使得在虚拟区的热退火效应实质相同于元件区的热退火效应。

公开(公告)号：CN114628330A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110418889.5

申请日：2021-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思颖 ,  薛森鸿 ,  王立廷 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，一种方法包括形成相邻于基板的多个鳍片，这些鳍片包含第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片；形成相邻于鳍片的第一绝缘材料；减少第一绝缘材料的厚度；在减少第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于第一绝缘材料及鳍片的第二绝缘材料；以及使第一绝缘材料与第二绝缘材料凹陷以形成第一浅沟槽隔离区域。

公开(公告)号：CN113078110A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202011190662.1

申请日：2020-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文彦 ,  王立廷 ,  谢宛蓁 ,  卢柏全 ,  黄泰钧 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。