公开(公告)号：CN115832006A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210810748.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李溢芸 ,  黄才育 ,  王立廷 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的多个第一纳米结构和多个第二纳米结构。沿着鳍结构的侧壁和顶表面形成虚设栅极。使鳍结构的被虚设栅极暴露的部分凹陷，以形成第一凹部。在第一凹部中形成外延源极/漏极区域。将外延源极/漏极区域内的掺杂剂原子驱动到多个第二纳米结构中。去除虚设栅极和多个第一纳米结构。形成包绕多个第二纳米结构的替换栅极。

公开(公告)号：CN115084020A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210358669.2

申请日：2022-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何柏慷 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一半导体鳍；从衬底延伸的第二半导体鳍；混合鳍，位于衬底之上，第二半导体鳍被设置在第一半导体鳍和混合鳍之间；第一隔离区域，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间；以及第二隔离区域，位于第二半导体鳍和混合鳍之间，第二隔离区域的顶表面被设置得比第一隔离区域的顶表面更远离衬底。

公开(公告)号：CN115472502A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210500767.5

申请日：2022-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文彦 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/336 ,  H01L23/544 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法被提供。此方法包含:提供具有第一区域以及第二区域的基材；形成多个沟槽在基材的第一区域中；形成多层堆叠在基材上方并且在沟槽中；以及图案化多层堆叠以及基材以在第一区域中的多个第一鳍片上方形成多个第一纳米结构并且在第二区域中的多个第二鳍片上方形成多个第二纳米结构，其中多层堆叠包含第一半导体层的至少一者以及第二半导体层中的至少一者交替地堆叠，并且多个沟槽位于相应的第一鳍片的对应者中。

公开(公告)号：CN112563203A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011024428.1

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨思齐 ,  简鹤年 ,  丁振庭 ,  林建智 ,  李建志 ,  林士豪 ,  李宗鸿 ,  叶致锴 ,  黄才育 ,  萧柏铠

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置的制造方法。根据一实施例的方法，包括形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上；形成一半导体盖层于第一鳍部及第二鳍部上；以及在露出半导体盖层的至少一部分的同时，于第一温度下对半导体盖层进行退火。

公开(公告)号：CN116779443A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310237544.9

申请日：2023-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚宣孝 ,  萧柏铠 ,  林范诚 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 在一个实施例中，揭露一种半导体装置及其形成的方法，形成半导体装置的方法包含：形成第一氧化层于半导体鳍片结构上方；进行第一氮化工艺以将第一氧化层转化为氮氧化层；沉积含硅层于氮氧化层上方；对含硅层进行第一退火，其中在进行第一退火之后，氮氧化层在与半导体鳍片结构的界面处的氮原子浓度高于在氮氧化层的主体区中的氮原子浓度；以及形成虚置栅极结构于含硅层上方。

公开(公告)号：CN113113301A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110143571.0

申请日：2021-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承峯 ,  陈亚伦 ,  黄才育 ,  郑雅如 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。施加至图案密度不同的多个第一沟槽与第二沟槽上的旋转涂布层作为光刻胶堆叠中的底层。为减少旋转涂布层的厚度差异，在旋转涂布层上进行两步热处理工艺。两步热处理工艺中的第一热处理步骤的第一温度低于旋转涂布层的交联温度以使旋转涂布层流动，而两步热处理工艺中的第二热处理步骤的第二温度使旋转涂布层交联。

公开(公告)号：CN119317175A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410406297.5

申请日：2024-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育樟 ,  何柏慷 ,  陈亮吟 ,  黄才育 ,  徐志安

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 描述了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底之上的第一半导体材料以及设置在第一半导体材料上的电介质层。电介质层包括掺杂剂。该结构还包括设置在电介质层上的第二半导体材料、与第二半导体材料接触的第一半导体层、以及与第一半导体层接触的第一电介质间隔件，其中第一电介质间隔件包括掺杂剂。

公开(公告)号：CN117393504A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310937957.8

申请日：2023-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 韩志勇 ,  陈文彦 ,  吴怡亭 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L23/544

Abstract: 本申请公开了用于缺陷检查的阱调节。一种方法包括形成衬垫层。衬垫层包括在半导体衬底的第一区域之上的第一部分和在半导体衬底的第二区域之上的第二部分。第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。然后对半导体衬底进行退火以在半导体衬底的第一区域之上形成第一氧化物层，并在半导体衬底的第二区域之上形成第二氧化物层。去除衬垫层、第一氧化物层和第二氧化物层。在半导体衬底的第一区域和第二区域之上、并与半导体衬底的第一区域和第二区域相接触地外延生长半导体层。

公开(公告)号：CN114520228A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110285205.9

申请日：2021-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才育 ,  陈翰德 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件，包括：第一半导体条带，在衬底之上，第一半导体条带包括第一沟道区域；第二半导体条带，在衬底之上，第二半导体条带包括第二沟道区域；电介质条带，设置在第一半导体条带和第二半导体条带之间，电介质条带的宽度沿着远离衬底延伸的第一方向减小，电介质条带包括空隙；以及栅极结构，沿着第一沟道区域、沿着第二沟道区域、并且沿着电介质条带的顶表面和侧壁延伸。

公开(公告)号：CN114520149A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110306927.8

申请日：2021-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧柏铠 ,  陈翰德 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本公开涉及沉积和氧化硅内衬以用于形成隔离区域。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽和半导体条带。该半导体条带的侧壁暴露于沟槽。该方法还包括沉积延伸到沟槽中的含硅层，其中，该含硅层在半导体条带的侧壁上延伸；用电介质材料填充沟槽，其中，电介质材料位于含硅层的侧壁上；以及氧化含硅层以形成内衬。该内衬包括氧化的硅。该内衬和电介质材料形成隔离区域的一些部分。该隔离区域凹陷，使得所述半导体条带中突出高于隔离区域的顶表面的部分形成半导体鳍。