-
公开(公告)号：CN115527891A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210585485.X
申请日：2022-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种基材接合设备、基材处理设备及其系统。基材接合设备包含流体冷却模块与用于基材内的多个区域(例如二或更多个区域)侦测温度的感测器模块。根据本揭露，基材接合设备实现了基材中的温度稳定。基材接合设备更通过减少变形残留物、减少在基材的边缘上的气泡、与缩减在基材内的非接合面积，来改善接合制程效能。
-
公开(公告)号：CN115084053A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210277567.8
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件的散热和制造方法。公开了具有改进的散热的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括第一晶体管结构；前侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上，所述前侧互连结构包括前侧导电线；后侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的后侧上，所述后侧互连结构包括后侧导电线，所述后侧导电线具有的线宽大于所述前侧导电线的线宽；以及第一散热衬底，耦合到所述后侧互连结构。
-
公开(公告)号：CN115527890A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210249501.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括将第一晶圆及第二晶圆装载至晶圆接合系统中。第一次量测晶圆接合系统内的相对湿度。在量测相对湿度之后，可将晶圆接合系统内的相对湿度调整至所需范围内。当相对湿度在所需范围内时，将第一晶圆接合至第二晶圆。
-
公开(公告)号：CN113113301A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110143571.0
申请日：2021-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。施加至图案密度不同的多个第一沟槽与第二沟槽上的旋转涂布层作为光刻胶堆叠中的底层。为减少旋转涂布层的厚度差异，在旋转涂布层上进行两步热处理工艺。两步热处理工艺中的第一热处理步骤的第一温度低于旋转涂布层的交联温度以使旋转涂布层流动，而两步热处理工艺中的第二热处理步骤的第二温度使旋转涂布层交联。
-
公开(公告)号：CN115295423A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210207553.9
申请日：2022-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供晶圆接合装置及方法。方法包括对第一晶圆的第一表面执行第一电浆活化制程。第一电浆活化制程在第一晶圆的第一表面上形成第一高活化区域及第一低活化区域。对第一晶圆的第一表面执行第一清洁制程。第一清洁制程在第一高活化区域及第一低活化区域中形成第一复数个硅醇基。第一高活化区域比第一低活化区域包括更多硅醇基。将第一晶圆接合至第二晶圆。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274531A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210277624.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , B23K26/34
Abstract: 本公开涉及激光脱键载体及其复合载体。一种方法包括将封装组件键合到复合载体。该复合载体包括基底载体和吸收层，并且该吸收层位于基底载体和封装组件之间。将激光束投射到复合载体上。该激光束穿透基底载体以烧蚀吸收层。然后可以将基底载体与封装组件分隔开。
-
公开(公告)号：CN118352312A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410335667.0
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括设置在衬底上方的第一底部源极/漏极部件和第二底部源极/漏极部件、在第一底部源极/漏极部件和第二底部源极/漏极部件之间延伸并与之接触的多个底部沟道构件、在多个底部沟道构件上方的第一接合层、直接设置在所述第一接合层上的第二接合层、直接设置在第一底部源极/漏极部件上方的第一顶部源极/漏极部件、直接设置于第二底部源极/漏极部件上方的第二顶部源极/漏极部件，以及多个顶部沟道构件，多个顶部沟道构件设置在所述第二接合层上方并且在第一顶部源极/漏极部件和第二顶部源极/漏极部件之间延伸并且与第一顶部源极/漏极部件和第二顶部源极/漏极部件接触。
-
公开(公告)号：CN118352311A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410324626.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本文公开了用于堆叠器件结构的接合技术。本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。一种示例性方法包括在第一器件组件上形成第一绝缘层，在第二器件组件上形成为第二绝缘层。对第一绝缘层和第二绝缘层进行等离子体激活处理。在等离子体激活工艺之后，第一绝缘层和第二绝缘层的上部部分包括等离子体激活层，并且第一绝缘层和第二绝缘层的下部部分包括阻挡层。接合第一绝缘层和第二绝缘层中的相应绝缘层的等离子体激活层，以形成包括位于第二器件组件上方的第一器件组件的堆叠结构。接合到第二绝缘层的第一绝缘层在第一器件组件和第二器件组件之间形成隔离结构。
-
公开(公告)号：CN117954447A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311400656.8
申请日：2023-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00
Abstract: 本公开涉及纳米结构FET半导体器件及其形成方法。实施例包括纳米结构器件和形成纳米结构器件的方法，包括处理工艺以膨胀侧壁间隔件材料，以便封闭沉积之后的侧壁间隔件材料中的接缝。该处理工艺包括氧等离子体处理，以膨胀侧壁间隔件材料并交联开放的接缝以形成封闭接缝，降低了k值，并减小了密度。
-
公开(公告)号：CN114649332A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110718968.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及纳米结构FET半导体器件及其形成方法。实施例包括纳米结构器件和形成纳米结构器件的方法，包括处理工艺，该处理工艺在沉积之后扩展侧壁间隔件材料以闭合侧壁间隔件材料中的接缝。该处理工艺包括氧化退火和热退火，用于扩展侧壁间隔件材料并交联开口接缝以形成闭合接缝，降低k值并降低密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.03 seconds)
