-
公开(公告)号：CN115527891A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210585485.X
申请日：2022-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种基材接合设备、基材处理设备及其系统。基材接合设备包含流体冷却模块与用于基材内的多个区域(例如二或更多个区域)侦测温度的感测器模块。根据本揭露，基材接合设备实现了基材中的温度稳定。基材接合设备更通过减少变形残留物、减少在基材的边缘上的气泡、与缩减在基材内的非接合面积，来改善接合制程效能。
-
公开(公告)号：CN115274531A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210277624.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , B23K26/34
Abstract: 本公开涉及激光脱键载体及其复合载体。一种方法包括将封装组件键合到复合载体。该复合载体包括基底载体和吸收层，并且该吸收层位于基底载体和封装组件之间。将激光束投射到复合载体上。该激光束穿透基底载体以烧蚀吸收层。然后可以将基底载体与封装组件分隔开。
-
公开(公告)号：CN116632048A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310196130.6
申请日：2023-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步包括邻近堆叠结构设置的源极/漏极特征以及设置在金属栅极结构和源极/漏极特征之间的内部间隔物。
-
公开(公告)号：CN110783197B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910485262.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了半导体装置的制造方法及通过此方法形成的半导体装置。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含在从基底延伸出的鳍部上沉积虚设介电层；在虚设介电层上沉积虚设栅极晶种层；将虚设栅极晶种层回焊；蚀刻虚设栅极晶种层；以及在虚设栅极晶种层上方选择性地沉积虚设栅极材料，虚设栅极材料和虚设栅极晶种层构成虚设栅极。
-
公开(公告)号：CN115527890A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210249501.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括将第一晶圆及第二晶圆装载至晶圆接合系统中。第一次量测晶圆接合系统内的相对湿度。在量测相对湿度之后，可将晶圆接合系统内的相对湿度调整至所需范围内。当相对湿度在所需范围内时，将第一晶圆接合至第二晶圆。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115527875A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210219660.3
申请日：2022-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种晶圆接合系统及其方法，在一实施方式中，晶圆接合系统包含腔室、气体输入孔与气体输出孔配置以控制腔室的压力在1×10‑2毫巴至1520托的范围内、第一晶圆座具有第一表面，以支撑第一晶圆、与第二晶圆座具有第二表面以支撑第二晶圆，第二表面相对第一表面，第二晶圆座与第一晶圆座可相对彼此移动，其中支撑第二晶圆的第二表面划分为多个区域，其中每一个区域的真空压力独立于其他区域进行控制。
-
公开(公告)号：CN115036236A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210232217.X
申请日：2022-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种晶圆粘合系统与形成半导体装置的方法，形成一半导体装置的方法包括将一底部晶圆安装在一底部夹盘上且将一顶部晶圆安装在一顶部夹盘上，其中该底部夹盘及该顶部夹盘中的一者具有一垫圈。使该顶部夹盘朝着该底部夹盘移动。该垫圈形成处于该底部夹盘与该顶部夹盘之间的围绕该顶部晶圆及该底部晶圆的一密封区域。调整该密封区域中的一环境压力。将该顶部晶圆粘合至该底部晶圆。
-
公开(公告)号：CN115020338A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210346236.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/265
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，本揭露使用脉冲激光或炉管的退火结合离子布植，在形成半导体装置和包括与之相同的半导体装置中切割基板。在一些实施例中，此方法包括在第一半导体基板上形成装置的晶体管结构；在晶体管结构的正面形成正面互连结构；将载体基板接合到正面互连结构；将离子植入到第一半导体基板以形成第一半导体基板的布植区域；以及移除第一半导体基板。移除第一半导体基板包括施加退火制程将布植区域与第一半导体基板的剩余区域分离。此方法还包括在晶体管结构的背面形成背面互连结构。
-
公开(公告)号：CN110957222A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910864407.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括形成第一鳍片及第二鳍片突出于基板。沉积第一非晶硅层于第一鳍片及第二鳍片之间，第一非晶硅层沿第一鳍片及第二鳍片的侧壁延伸。在沉积第一非晶硅层之后，进行第一退火。在第一退火之后，沉积第二非晶硅层于第一非晶硅层之上。在沉积第二非晶硅层之后，进行第二退火。在第二退火之后，沉积第三非晶硅层，第三非晶硅层在第一鳍片及第二鳍片的上表面上延伸。
-
公开(公告)号：CN110783197A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910485262.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了半导体装置的制造方法及通过此方法形成的半导体装置。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含在从基底延伸出的鳍部上沉积虚设介电层；在虚设介电层上沉积虚设栅极晶种层；将虚设栅极晶种层回焊；蚀刻虚设栅极晶种层；以及在虚设栅极晶种层上方选择性地沉积虚设栅极材料，虚设栅极材料和虚设栅极晶种层构成虚设栅极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.029 seconds)
