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公开(公告)号：CN116632048A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310196130.6
申请日：2023-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步包括邻近堆叠结构设置的源极/漏极特征以及设置在金属栅极结构和源极/漏极特征之间的内部间隔物。
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公开(公告)号：CN109728071B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810392917.9
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。
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公开(公告)号：CN114975087A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210066302.3
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L29/423
Abstract: 提供一种形成半导体元件的方法。提供形成半导体元件的方法。方法包含在目标层之上涂覆光阻膜；进行微影制程以将光阻膜图案化成光阻层；对光阻层进行方向性离子轰击制程，使得光阻层中的碳原子浓度增加；使用光阻层为刻蚀遮罩，刻蚀目标层。透过此方法可以减少图案角落变圆的现象，使得修改后的光阻图案具有更为锐利的角落。
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公开(公告)号：CN119486167A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410331576.X
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有重结晶源极/漏极的场效应晶体管及方法。一种方法包括：在衬底之上形成纳米结构堆叠；形成与纳米结构堆叠相邻的源极/漏极开口；在源极/漏极开口中形成半导体层；通过在半导体层上执行离子注入来形成非晶半导体层；以及通过对非晶半导体层进行退火来形成重结晶源极/漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053800A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011221811.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开涉及互连层及其制造方法。本公开描述了一种用于在导电结构中平坦化钌金属层的方法。该方法包括在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成第一导电结构包括在设置在第二导电结构上的电介质层中形成开口，以及在开口中沉积钌金属以过度填充开口。形成第一导电结构包括掺杂钌金属以及抛光经掺杂的钌金属以形成第一导电结构。
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公开(公告)号：CN108122769A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710718888.6
申请日：2017-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/31051 , H01L21/3115 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 提供鳍式场效晶体管装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，此方法包含在鳍式场效晶体管的虚设栅极上方形成第一栅极间隔物，此方法也包含对第一栅极间隔物实施碳等离子体掺杂，此方法也包含形成多个源极/漏极区，其中源极/漏极区设置在虚设栅极的相反侧上，此方法也包含移除虚设栅极。
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公开(公告)号：CN106206686A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510262773.1
申请日：2015-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L21/28202 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/845 , H01L29/0886 , H01L29/42364 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 一种示例性鳍式场效应晶体管(finFET)，包括：具有沟道区的半导体鳍以及位于沟道区的侧壁和顶面上的栅极氧化物。栅极氧化物包括：具有第一厚度的最薄部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的最厚部分。第一厚度和第二厚度之间的差值小于最大厚度变化并且最大厚度变化取决于finFET的工作电压。本发明涉及具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053800B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202011221811.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本公开涉及互连层及其制造方法。本公开描述了一种用于在导电结构中平坦化钌金属层的方法。该方法包括在第二导电结构上形成第一导电结构，其中，形成第一导电结构包括在设置在第二导电结构上的电介质层中形成开口，以及在开口中沉积钌金属以过度填充开口。形成第一导电结构包括掺杂钌金属以及抛光经掺杂的钌金属以形成第一导电结构。
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公开(公告)号：CN119451204A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410264999.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H10D84/85 , H01L21/324
Abstract: 描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：从衬底形成鳍结构，在鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料，在第一半导体材料上沉积第二半导体材料，在第二半导体材料之上沉积层间电介质层，在层间电介质层中形成开口以暴露第二半导体材料，以及执行掺杂剂注入工艺以形成掺杂区域。掺杂区域包括第二半导体材料的第一部分。然后，该方法还包括：执行非晶化工艺以形成非晶区域，并且非晶区域包括第二半导体材料的第二部分。该方法还包括执行退火工艺以使非晶区域重结晶。
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