公开(公告)号：CN114334615A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111106915.7

申请日：2021-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨智凯 ,  沈育佃 ,  张湘明 ,  张钧彦 ,  张雅惠 ,  简薇庭 ,  陈佳政 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及用于多步骤定向图案化的系统和方法。一种半导体工艺系统包括被配置为轰击晶圆上的光致抗蚀剂结构的离子源。该半导体工艺系统通过在具有不同特性的多个不同离子轰击步骤中用离子轰击光致抗蚀剂结构，来减小光致抗蚀剂结构的宽度。

公开(公告)号：CN114975087A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210066302.3

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育佃 ,  杨智凯 ,  张湘明 ,  张钧彦 ,  张雅惠 ,  简薇庭 ,  陈佳政 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种形成半导体元件的方法。提供形成半导体元件的方法。方法包含在目标层之上涂覆光阻膜；进行微影制程以将光阻膜图案化成光阻层；对光阻层进行方向性离子轰击制程，使得光阻层中的碳原子浓度增加；使用光阻层为刻蚀遮罩，刻蚀目标层。透过此方法可以减少图案角落变圆的现象，使得修改后的光阻图案具有更为锐利的角落。