公开(公告)号：CN115206782A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210362774.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  陈颐珊 ,  杨智凯 ,  林斌彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。在半导体基底上方形成图案的方法中，在半导体基底上方形成目标层；在目标层上方的遮罩层中形成包含开口的遮罩图案；在开口的内侧侧壁上形成偏移膜；进行单向蚀刻操作，以移除偏移膜的一部分及遮罩层的一部分，以形成偏移开口；以及使用具有偏移开口的遮罩层作为蚀刻遮罩来将目标层图案化，偏移开口的位置从开口的原始位置横向偏移。

公开(公告)号：CN114724993A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110678260.4

申请日：2021-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  杨智凯 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67

Abstract: 揭示一种半导体对准装置及半导体对准方法，即校正晶圆在晶圆保持件上的错位的方法以及执行此方法的装置。在一实施方式中，半导体对准装置包含晶圆平台；晶圆保持件位于晶圆平台上；第一位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第一方向上的对准；第二位置侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上在第二方向上的对准；以及旋转侦测器配置以侦测晶圆在晶圆保持件之上的旋转对准。

公开(公告)号：CN115249635A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210115811.0

申请日：2022-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  杨智凯 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/68

Abstract: 一种晶圆对准方法及设备，在一实施方式中，一种方法包含：放置晶圆于布植机台板上，晶圆包含对准标记；通过使用一或多个相机测量对准标记的位置来测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及以角位移旋转布植机台板。

公开(公告)号：CN114975087A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210066302.3

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育佃 ,  杨智凯 ,  张湘明 ,  张钧彦 ,  张雅惠 ,  简薇庭 ,  陈佳政 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种形成半导体元件的方法。提供形成半导体元件的方法。方法包含在目标层之上涂覆光阻膜；进行微影制程以将光阻膜图案化成光阻层；对光阻层进行方向性离子轰击制程，使得光阻层中的碳原子浓度增加；使用光阻层为刻蚀遮罩，刻蚀目标层。透过此方法可以减少图案角落变圆的现象，使得修改后的光阻图案具有更为锐利的角落。

公开(公告)号：CN113764312A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111049020.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧彦 ,  沈育佃 ,  杨智凯 ,  张雅惠 ,  张世明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本揭露包含一种蚀刻系统及蚀刻方法，电浆蚀刻系统包含可移动的电浆源和可移动的晶圆座。可变化可移动的电浆源和可移动的晶圆座间的相对位置，以设定一角度，电浆的电浆粒子沿着此角度撞击放置在晶圆座上的晶圆。

公开(公告)号：CN115527841A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210683784.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  吴濬宏 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  张钧彦 ,  杨智凯 ,  沈育佃 ,  张雅惠

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种形成半导体装置的方法。在一些实施例中，方法包括形成靶层在半导体基板上方、形成富碳硬遮蔽层在靶层上方，通过蚀刻工艺图案化数个特征在富碳硬遮蔽层中、对被图案化在富碳硬遮蔽层中的这些特征执行定向离子束修整工艺、以及使用富碳硬遮蔽层作为遮罩来图案化靶层。

公开(公告)号：CN114334615A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111106915.7

申请日：2021-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨智凯 ,  沈育佃 ,  张湘明 ,  张钧彦 ,  张雅惠 ,  简薇庭 ,  陈佳政 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及用于多步骤定向图案化的系统和方法。一种半导体工艺系统包括被配置为轰击晶圆上的光致抗蚀剂结构的离子源。该半导体工艺系统通过在具有不同特性的多个不同离子轰击步骤中用离子轰击光致抗蚀剂结构，来减小光致抗蚀剂结构的宽度。