公开(公告)号：CN118748172A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410645463.7

申请日：2024-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  张翔笔 ,  赵皇麟 ,  林斌彦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供以降低的结晶温度形成结晶性高k值介电层于半导体装置内。上述方法包括形成一通道结构于一基底上；形成一界面层于通道结构上；形成第一高k值介电层于界面层上；用掺杂物形成偶极(dipole)于第一高k值介电层内；以及形成一第二高k值介电层于第一高k值介电层上。掺杂物包括第一金属元素。第二高k值介电层包括与第一金属元素不同的第二金属元素。

公开(公告)号：CN115376907A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210712617.0

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林执中 ,  林含谕 ,  李芳苇 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结构；以及以主要蚀刻剂与含锗气体蚀刻开口中的第二半导体层的一部分。

公开(公告)号：CN115206782A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210362774.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  陈颐珊 ,  杨智凯 ,  林斌彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。在半导体基底上方形成图案的方法中，在半导体基底上方形成目标层；在目标层上方的遮罩层中形成包含开口的遮罩图案；在开口的内侧侧壁上形成偏移膜；进行单向蚀刻操作，以移除偏移膜的一部分及遮罩层的一部分，以形成偏移开口；以及使用具有偏移开口的遮罩层作为蚀刻遮罩来将目标层图案化，偏移开口的位置从开口的原始位置横向偏移。

公开(公告)号：CN110323151B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201811486095.7

申请日：2018-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  詹易叡 ,  李芳苇 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  林执中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN111261707A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911214690.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括在第一主动区上形成第一栅极结构。第一栅极结构包括第一导电层。使用工艺气体混合物来执行蚀刻工艺，以掘入第一栅极结构并定义凹槽。蚀刻工艺包括第一阶段以在第一导电层上形成聚合物层，并修改第一导电层的一部分以形成第一导电层的经修改部分，且循环蚀刻工艺包括第二阶段以移除聚合物层，并移除第一导电层的经修改部分。

公开(公告)号：CN111092018A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911013778.5

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  杨建勋 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一结构，其包括垂直堆叠在一基底上方的多个纳米线；沉积一介电材料层，其围绕上述纳米线；对上述介电材料层的一表面部分施行一处理工艺；选择性蚀刻上述介电材料层的上述表面部分；重复施行上述处理工艺与上述选择性蚀刻的步骤，直到局部暴露上述纳米线；以及形成一栅极结构，其接合上述纳米线。

公开(公告)号：CN119947177A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510050658.1

申请日：2025-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  吕旻轩 ,  江芃萱 ,  苏曼侬 ,  朱家宏 ,  陈姿蓓 ,  李沛桦 ,  卢炜业 ,  王菘豊 ,  林斌彦

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01

Abstract: 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底，设置在衬底上的第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域，以及接触结构。接触结构包括设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一导电覆盖层和第二导电覆盖层、以及导电插塞。导电插塞包括设置在第一导电覆盖层和第二导电覆盖层的顶表面上的第一插塞部分，设置在第一导电覆盖层和第二导电覆盖层之间的第二插塞部分，和设置在第一S/D区域和第二S/D区域之间的第三插塞部分。

公开(公告)号：CN118116799A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410170123.3

申请日：2024-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李绅扬 ,  张翔笔 ,  赵皇麟 ,  林斌彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了用于电容等效厚度缩放的栅极堆叠件制造技术。用于形成栅极堆叠件的示例性方法包括：形成界面层；在界面层上方形成高k介电层；以及在高k介电层上方形成导电栅极层。形成高k介电层包括形成含第4族元素的介电层(例如，HfO2层和/或ZrO2层)以及形成含稀土元素的介电层。在一些实施例中，含稀土元素的介电层包括钇和氧、氮、碳或它们的组合。导电栅极层形成在含稀土元素的介电层上方(即，含稀土元素的介电层未去除，并且保留在栅极堆叠件中)。含稀土元素的介电层可以在形成含第4族元素的介电层的子层之前、之后或之间形成。本申请的实施例还涉及用于形成栅极堆叠件的方法、半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN115566065A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210937904.1

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林斌彦 ,  林经祥 ,  赵皇麟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板、形成在基板上方的第一鳍片结构及第二鳍片结构、以及位于第一鳍片结构及第二鳍片结构之间的隔离结构。隔离结构可包括下部及上部。隔离结构的下部可包括无金属介电材料。隔离结构的上部可包括金属元素及硅。

公开(公告)号：CN114975265A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210298172.6

申请日：2022-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  蔡明桓 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开半导体装置与其制作方法。方法可包含形成鳍状结构于基板上；形成源极/漏极区于鳍状结构上；形成栅极结构于鳍状结构上以与源极/漏极区相邻；以及形成盖结构于栅极结构上。形成盖结构的步骤包括：形成导电盖于栅极结构上，形成盖衬垫于导电盖上，以及形成碳为主的盖于盖衬垫上。方法更包括形成第一接点结构于源极/漏极区上；形成绝缘盖于第一接点结构上；以及形成第二接点结构于导电盖上。