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公开(公告)号：CN112447850A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010825697.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述用于形成包绕式栅极装置的技术，其中通过蚀刻交替地垂直堆叠在半导体层之间的缓冲层以释出半导体层。不同垂直高度堆叠的缓冲层包括不同的材料组成，相对于用于至少部分地去除缓冲层以释出半导体层的蚀刻剂，其产生不同的蚀刻速率。本公开还提供一种半导体结构。
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公开(公告)号：CN110957260A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910894324.7
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 鳍状场效晶体管的制作方法包括：形成至少三个半导体鳍状物于基板上，其中半导体鳍状物的第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与第三半导体鳍状物的长度方向实质上彼此平行，且第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的空间小于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间的空间；沉积第一介电层于半导体鳍状物的顶部与侧壁上，以形成沟槽于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间，且沟槽的底部与两侧侧壁为第一介电层；以第一斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的一者；以第二斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的另一者；沉积第二介电层至沟槽中，且第一介电层与第二介电层的材料不同；以及蚀刻第一介电层。
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公开(公告)号：CN114300416A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011392694.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。
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公开(公告)号：CN110323151A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811486095.7
申请日：2018-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/762
Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN115376907A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210712617.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结构；以及以主要蚀刻剂与含锗气体蚀刻开口中的第二半导体层的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323151B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201811486095.7
申请日：2018-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/762
Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN111092018A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911013778.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一结构，其包括垂直堆叠在一基底上方的多个纳米线；沉积一介电材料层，其围绕上述纳米线；对上述介电材料层的一表面部分施行一处理工艺；选择性蚀刻上述介电材料层的上述表面部分；重复施行上述处理工艺与上述选择性蚀刻的步骤，直到局部暴露上述纳米线；以及形成一栅极结构，其接合上述纳米线。
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公开(公告)号：CN118983312A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411013006.2
申请日：2024-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/49
Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结构，第二半导体材料不同于第一半导体材料；以及与上部半导体纳米结构相邻的上部外延源极/漏极区，上部外延源极/漏极区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。
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公开(公告)号：CN115565880A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210951697.5
申请日：2022-08-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开描述了半导体装置的形成方法，包含形成具有堆叠鳍片部分的鳍片结构于基板上。堆叠鳍片部分包含第一半导体层及第二半导体层，其中第二半导体层包含锗。半导体装置的形成方法更包含蚀刻鳍片结构以形成开口并通过开口以含氟气体蚀刻第二半导体层的一部份。
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公开(公告)号：CN113707604A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110509861.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明一些实施例提供一种半导体制造技术。所述技术包含如下操作。接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构。所述第一材料对第一蚀刻化学物具有第一孕育时间。所述第二材料对所述第一蚀刻化学物具有第二孕育时间。所述第一孕育时间比所述第二孕育时间短。由所述第一蚀刻化学物对所述半导体结构执行第一主蚀刻达第一持续时间。所述第一持续时间大于所述第一孕育时间且比所述第二孕育时间短。
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