公开(公告)号：CN112447850A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010825697.1

申请日：2020-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨建勋 ,  林含谕 ,  陈俊佑 ,  王志庆 ,  李芳苇 ,  林执中 ,  林立德 ,  张广兴 ,  林斌彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开描述用于形成包绕式栅极装置的技术，其中通过蚀刻交替地垂直堆叠在半导体层之间的缓冲层以释出半导体层。不同垂直高度堆叠的缓冲层包括不同的材料组成，相对于用于至少部分地去除缓冲层以释出半导体层的蚀刻剂，其产生不同的蚀刻速率。本公开还提供一种半导体结构。

公开(公告)号：CN109817548A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811359669.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢文杰 ,  叶书佑 ,  高克斌 ,  钟佳宏 ,  吴立仁 ,  陈俊佑 ,  陈宏铭 ,  吴泳铤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开一些实施例提供一种晶圆处理系统，包括处理腔室、排放导管、采样管、防护元件、及气体感测器。排放导管连接到处理腔室。采样管位在排放导管中并沿延伸方向所延伸。防护元件位在采样管的上游端(靠近制程腔室处)，且从上游端观察，采样管被防护元件所覆盖。气体感测器连接到采样管，且配置以监测排放导管中的气体状况。