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公开(公告)号：CN114300416A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011392694.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。
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公开(公告)号：CN113013087A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011476748.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 一种形成多层互连结构的方法，包括形成穿过层间介电层、蚀刻终止层以及接触结构的介层孔，通过金属卤化物来预清洁介层孔，在通过金属卤化物对介层孔的预清洁期间在接触结构上原位形成阻障结构，以及在阻障结构的顶部上的介层孔中沉积第二金属。
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公开(公告)号：CN110323151A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811486095.7
申请日：2018-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/762
Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN111243958B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911180066.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN110957260A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910894324.7
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 鳍状场效晶体管的制作方法包括：形成至少三个半导体鳍状物于基板上，其中半导体鳍状物的第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与第三半导体鳍状物的长度方向实质上彼此平行，且第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的空间小于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间的空间；沉积第一介电层于半导体鳍状物的顶部与侧壁上，以形成沟槽于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间，且沟槽的底部与两侧侧壁为第一介电层；以第一斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的一者；以第二斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的另一者；沉积第二介电层至沟槽中，且第一介电层与第二介电层的材料不同；以及蚀刻第一介电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566045A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210944135.8
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述一种半导体结构及其形成方法。方法可包括在基板上方形成鳍结构。鳍结构可包括第一牺牲层和第二牺牲层。方法可进一步包括在鳍结构的第一部分中形成凹陷结构，选择性蚀刻鳍结构的第二部分的第二牺牲层上方的鳍结构的第二部分的第一牺牲层，以及在蚀刻的第一牺牲层上形成内间隙壁层，且暴露鳍结构的第二部分的第二牺牲层。
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公开(公告)号：CN112447850A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010825697.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述用于形成包绕式栅极装置的技术，其中通过蚀刻交替地垂直堆叠在半导体层之间的缓冲层以释出半导体层。不同垂直高度堆叠的缓冲层包括不同的材料组成，相对于用于至少部分地去除缓冲层以释出半导体层的蚀刻剂，其产生不同的蚀刻速率。本公开还提供一种半导体结构。
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公开(公告)号：CN111243958A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911180066.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN109841512A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811425883.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法。多个虚设栅极堆叠形成于半导体基材上方。层间介电层形成于这些虚设栅极堆叠上方。将位于这些虚设栅极堆叠的顶表面上方的层间介电层的第一部分移除，使得层间介电层的第二部分留在这些虚设栅极堆叠之间。以多个金属栅极堆叠取代这些虚设栅极堆叠。于层间介电层的第二部分的顶表面及金属栅极堆叠的顶表面上方施予水。施予中性NF3自由基至水中，以蚀刻层间介电层。
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公开(公告)号：CN115376907A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210712617.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结构；以及以主要蚀刻剂与含锗气体蚀刻开口中的第二半导体层的一部分。
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