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公开(公告)号：CN114300416A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011392694.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113267963B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110495908.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。
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公开(公告)号：CN111081538A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910994666.6
申请日：2019-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成含铪层于半导体层上，同时对此含铪层执行热退火制程及施加电场以形成铁电含铪层，以及形成栅极电极于此铁电含铪层之上。
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公开(公告)号：CN115763365A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210557085.8
申请日：2022-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的半导体结构包括多个晶体管、电耦接至多个晶体管的互连结构、设置在互连结构上方并且与多个晶体管电隔离的金属部件、设置在金属部件上方的绝缘层以及设置在绝缘层上方的第一再分布部件和第二再分布部件。第一再分布部件和第二再分布部件之间的间隔设置在金属部件的至少部分正上方。
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公开(公告)号：CN115494700A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210036595.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种能够将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下的光源以及生成极紫外光的方法。根据本发明的各种实施例的光源包括：处理器；液滴产生器，用于产生液滴以产生极紫外光；集光器，用于将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，用于产生预脉冲光和主脉冲光；以及热影像撷取装置，用于撷取来自集光器的反射面的热影像。
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公开(公告)号：CN113267963A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110495908.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。
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