公开(公告)号：CN113380708B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202110586516.9

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志庆 ,  何炯煦 ,  谢文兴 ,  程冠伦 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 制造半导体器件的方法包括：形成其中交替堆叠第一半导体层和第二半导体层的鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻鳍结构的未由牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极(S/D)区域，从而形成S/D间隔；通过S/D间隔横向蚀刻第一半导体层，从而形成凹槽；在凹槽中、在蚀刻的第一半导体层上形成第一绝缘层；在形成第一绝缘层之后，在凹槽中、在第一绝缘层上形成第二绝缘层，其中，第二绝缘层的介电常数小于第一绝缘层的介电常数；以及在S/D间隔中形成S/D外延层，其中，第二绝缘层与S/D外延层接触。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN110620174B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201910523220.5

申请日：2019-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘国安 ,  吴忠政 ,  庄学理 ,  张广兴 ,  江典蔚 ,  吴志强 ,  陈家庠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L23/552 ,  G11C11/16

Abstract: 在一些实施例中，本申请提供了存储器器件。存储器器件包括芯片，芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。磁场屏蔽结构包括至少部分地围绕芯片的导电或磁性材料。磁场屏蔽结构包括横向围绕芯片的侧壁区、从侧壁区向上延伸的上部区以及从侧壁区向下延伸的下部区。上部区和/或下部区的至少一个终止于芯片上方的开口。

公开(公告)号：CN113539965A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110660108.3

申请日：2021-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志庆 ,  杨崇巽 ,  何炯煦 ,  谢文兴 ,  程冠伦 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明实施例提供半导体装置的制造方法。上述方法包含形成具有交互堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层的鳍片结构；形成牺牲栅极结构于鳍片结构上方；以及蚀刻源极/漏极(S/D)区，从而形成暴露出至少一个第二半导体层的开口。上述方法也包含通过开口布植蚀刻速率修饰物种于至少一个第二半导体层中，从而形成至少一个第二半导体层的布植部分。上述方法还包含选择性蚀刻至少一个第二半导体层的布植部分；凹蚀暴露于开口中的所述第一半导体层的端部；以及于开口中形成源极/漏极(S/D)外延层。

公开(公告)号：CN111128265A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911050985.8

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛雷维·古帕塔亚 ,  吴志强 ,  王奕

IPC: G11C11/16

Abstract: 所公开的MTJ读取电路包括耦合到读取路径的电流导引元件。在电流导引元件的第一节点处，保持成比例的较大电流以满足可靠的电压或电流感测的要求。在电流导引元件的第二节点处，保持成比例的较小电流，该较小电流流过MTJ结构。第一节点处的电流与第二节点处的电流成比例，从而对第一节点处的电流进行感测推断出第二节点处的电流，第二节点处的电流受MTJ电阻值的影响。本申请的实施例还涉及磁性隧道结读取电路、装置以及读取磁性隧道结的方法。

公开(公告)号：CN109103084A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201711283650.1

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊颉 ,  让-皮埃尔·科林格 ,  后藤贤一 ,  吴志强 ,  林佑明

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 在制造全环栅场效应晶体管的方法中，在衬底上方形成沟槽。将纳米管结构布置在沟槽中，每个纳米管结构包括碳纳米管(CNT)，碳纳米管具有包裹在CNT周围的栅极介电层和位于栅极介电层上方的栅电极层。在沟槽中形成锚定层。去除源极/漏极(S/D)区处的锚定层的部分。去除S/D区处的栅电极层和栅极介电层，从而暴露S/D区处的CNT的部分。在CNT的暴露部分上形成S/D电极层。去除栅极区处的锚定层的部分，从而暴露栅极结构的栅电极层的部分。在栅电极层的暴露部分上形成栅极接触层。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

公开(公告)号：CN105047710B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201410658546.6

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  冯家馨 ,  张智胜 ,  吴志强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的实施例。该器件包括具有第栅极区域的衬底、位于第栅极区域中的衬底上方的第鳍结构。第鳍结构包括上部半导体材料构件、被氧化物部件环绕的下部半导体材料构件以及包裹在下部半导体材料构件的氧化物部件周围并且向上延伸以包裹在上部半导体材料构件的下部周围的衬层。该器件还包括与上部半导体材料构件的下部横向邻近的介电层。因此,上部半导体材料构件包括既不与介电层横向邻近也不被衬层包裹的中部。本发明还提供了形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法。

公开(公告)号：CN108231889A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710950065.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 让-皮埃尔·科林格 ,  吴忠政 ,  卡洛斯·H·迪亚兹 ,  王志豪 ,  后藤贤一 ,  郭大鹏 ,  杨育佳 ,  吴志强 ,  林佑明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8256 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L29/7851

Abstract: 描述了包括二维(2‑D)材料的半导体结构及其制造方法。通过在诸如鳍式场效应晶体管(FET)的晶体管栅极构架中采用2‑D材料，本发明的半导体结构包括垂直栅极结构并且包含2‑D材料，诸如石墨烯、过渡金属二硫属化物(TMD)或磷烯。本发明的实施例还涉及具有垂直结构的2‑D材料晶体管。

公开(公告)号：CN105322014B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410778074.8

申请日：2014-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  冯家馨 ,  吴志强 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FINFET)器件的实施例。该器件包括设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的氧化硅锗(SiGeO)层和设置在SiGeO层上方的锗(Ge)部件。该器件还包括位于p型FinFET(PFET)区域中的衬底上方的第二鳍结构。第二鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的凹进的氧化硅锗(SiGeO)层、设置在凹进的SiGeO层上方的外延硅锗(SiGe)层以及设置在外延SiGe层上方的锗(Ge)部件。本发明还提供了形成FINFET器件的方法。

公开(公告)号：CN103928515B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310110975.5

申请日：2013-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  江国诚 ,  张广兴 ,  吴志强

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66818 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底具有栅极区、被栅极区隔离开的源极和漏极(S/D)区及位于N-FET区中的栅极区中第一鳍结构。第一鳍结构由作为下部的第一半导体材料层、作为中部的半导体氧化物层和作为上部的第二半导体材料层形成。半导体器件还包括位于N-FET区中的S/D区中第二鳍结构。第二鳍结构由作为下部的第一半导体材料层、作为第一中部的半导体氧化物层、作为第二中部的位于第一中部旁的第一半导体材料层和作为上部的第二半导体材料层形成。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN103367163B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210337912.9

申请日：2012-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  杨凯杰 ,  吴伟豪 ,  后藤贤一 ,  吴志强 ,  孙元成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1041 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

Abstract: 在衬底上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法包括通过第一类型掺杂剂掺杂MOSFET器件的沟道区。通过第二类型掺杂剂在衬底中形成源极和漏极。在位于MOSFET器件的栅极下方的区域中实施选择性掺杂剂去活化。本发明还提供了栅极下方具有选择性掺杂剂去活化的MOSFET。