公开(公告)号：CN103094343B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210026680.5

申请日：2012-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  吴伟豪 ,  余宗兴 ,  刘佳雯 ,  沈泽民 ,  后藤贤一 ,  吴志强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833

Abstract: 在浅沟槽隔离(STI)结构之间设置的MOSFET包括在衬底表面上方形成的并在STI结构的向内延伸的突出件上方形成的外延硅层。因此，MOSFET的栅极宽度是外延硅层的宽度并大于STI结构之间的初始衬底表面的宽度。在先前掺杂的沟道上方形成外延硅层，并且该外延硅层在沉积时是未掺杂的。可以采用热活化操作来使掺杂剂杂质进入被外延硅层占据的晶体管沟道区内，但是在外延硅层与栅极电介质相交的沟道位置处掺杂剂浓度是最小的。本发明提供一种具有T形外延硅沟道的MOSFET结构。

公开(公告)号：CN115566020A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210956764.2

申请日：2022-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  马哈维 ,  张惠政 ,  林耕竹 ,  陈维宁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8232

Abstract: 一种半导体装置，包括第一类型的第一晶体管装置，其包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及在第一纳米结构上的第一栅极电极；形成在第一晶体管装置上方的第二类型的第二晶体管装置，其包括在第一纳米结构上方的第二纳米结构、在第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及在第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极电极；在第一纳米结构及第二纳米结构之间的第一隔离结构；与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构；以及第二隔离结构及第二对源极/漏极结构之间的籽晶层。

公开(公告)号：CN114335177A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110880623.2

申请日：2021-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  马哈维

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L21/04 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置可采用二维材料层作为多通道晶体管的纳米片通道。二维材料层的纳米片通道在更小的尺寸及/或更少的通道数目下可达相同的驱动电流，因此可减少尺寸及/或促进驱动电流。本发明实施例亦可提供装置中p型与n型的平衡方法，而不需增加装置脚位。

公开(公告)号：CN113054027B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202110172261.1

申请日：2021-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  马哈维 ,  林耕竹 ,  沈泽民

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：沟道构件，包括第一沟道层和第一沟道层上方的第二沟道层；以及栅极结构，在沟道构件上方。该第一沟道层包括硅、锗、III‑V族半导体或II‑VI族半导体，并且第二沟道层包括二维材料。

公开(公告)号：CN115566021A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210956769.5

申请日：2022-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  马哈维 ,  张惠政 ,  林耕竹

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8232

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。半导体装置还包括与第一及第二纳米结构接触的第一隔离结构及与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构。

公开(公告)号：CN103367163B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210337912.9

申请日：2012-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  杨凯杰 ,  吴伟豪 ,  后藤贤一 ,  吴志强 ,  孙元成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1041 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

Abstract: 在衬底上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法包括通过第一类型掺杂剂掺杂MOSFET器件的沟道区。通过第二类型掺杂剂在衬底中形成源极和漏极。在位于MOSFET器件的栅极下方的区域中实施选择性掺杂剂去活化。本发明还提供了栅极下方具有选择性掺杂剂去活化的MOSFET。

公开(公告)号：CN114725095A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210118439.9

申请日：2022-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟政庭 ,  陈建宏 ,  马哈维 ,  陈豪育 ,  蔡劲 ,  程冠伦

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8256

Abstract: 本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特征包括半导体材料；并且在二维材料层上方形成栅极结构，该栅极结构介于源极特征和漏极特征之间。栅极结构、源极特征、漏极特征、半导体结构和2D材料层被配置为形成场效应晶体管。半导体结构和2D材料层分别充当源极特征和漏极特征之间的第一沟道和第二沟道。

公开(公告)号：CN114220812A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110856079.8

申请日：2021-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  马哈维 ,  张惠政 ,  陈科夆 ,  林耕竹

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提出一种半导体结构。制作隔离结构于堆叠的晶体管结构的源极/漏极外延结构之间的隔离结构的方法。方法包括沉积无氧介电材料于第一外延结构上的开口中，其中无氧介电材料覆盖第一外延结构的上表面与开口的侧壁表面。方法亦包括暴露无氧介电材料至氧化工艺以氧化无氧介电材料，其中氧化工艺不氧化第一外延结构上的无氧介电材料的一部分。此外，蚀刻氧化的无氧介电材料，并形成第二外延层于蚀刻步骤未移除的无氧介电材料上，以实质上填入开口。

公开(公告)号：CN103367163A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210337912.9

申请日：2012-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  杨凯杰 ,  吴伟豪 ,  后藤贤一 ,  吴志强 ,  孙元成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1041 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

Abstract: 在衬底上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法包括通过第一类型掺杂剂掺杂MOSFET器件的沟道区。通过第二类型掺杂剂在衬底中形成源极和漏极。在位于MOSFET器件的栅极下方的区域中实施选择性掺杂剂去活化。本发明还提供了栅极下方具有选择性掺杂剂去活化的MOSFET。

公开(公告)号：CN114823870A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210178828.0

申请日：2022-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  马哈维 ,  温伟源

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开描述一种具低接触电阻的二维通道场效晶体管及此结构的制造方法。方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积间隙壁材料层和形成通道，通道包括在栅极开口的底部的过渡金属硫属化合物(TMC)层。方法更包括于通道上和栅极开口中形成栅极结构以及移除硬遮罩层。