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公开(公告)号：CN114220812A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110856079.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 马哈维 , 张惠政 , 陈科夆 , 林耕竹
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提出一种半导体结构。制作隔离结构于堆叠的晶体管结构的源极/漏极外延结构之间的隔离结构的方法。方法包括沉积无氧介电材料于第一外延结构上的开口中，其中无氧介电材料覆盖第一外延结构的上表面与开口的侧壁表面。方法亦包括暴露无氧介电材料至氧化工艺以氧化无氧介电材料，其中氧化工艺不氧化第一外延结构上的无氧介电材料的一部分。此外，蚀刻氧化的无氧介电材料，并形成第二外延层于蚀刻步骤未移除的无氧介电材料上，以实质上填入开口。
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公开(公告)号：CN114823870A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210178828.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 马哈维 , 温伟源
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本公开描述一种具低接触电阻的二维通道场效晶体管及此结构的制造方法。方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积间隙壁材料层和形成通道，通道包括在栅极开口的底部的过渡金属硫属化合物(TMC)层。方法更包括于通道上和栅极开口中形成栅极结构以及移除硬遮罩层。
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公开(公告)号：CN114823518A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210087912.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例说明形成低热预算的介电层于半导体装置中的方法。方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上，且第一鳍状结构与第二鳍状结构之间具有开口；将可流动的隔离材料填入开口；以等离子体处理可流动的隔离材料；以及移除第一鳍状结构与第二鳍状结构之间的等离子体处理的可流动的隔离材料。
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公开(公告)号：CN114121949A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110935747.6
申请日：2021-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 彭羽筠 , 林耕竹
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提出一种半导体结构。用以制造位于纳米结构晶体管中的源极/漏极外延结构与金属栅极结构之间的间隔物结构的方法。此方法包括形成具有交替排列的第一及第二纳米结构元件的鳍片结构于基板上。此方法亦包括蚀刻鳍片结构中的第一鳍片结构的边缘部分以形成间隔物凹腔，并在鳍片结构上沉积间隔物层以填充间隔物凹腔。使用微波产生的等离子体处理间隔物层，以在位于间隔物凹腔之外的间隔物层中形成氧浓度梯度，并通过蚀刻工艺移除间隔物层的经过处理的部分。在蚀刻工艺期间，蚀刻工艺对间隔物层的经过处理的部分的移除速率是基于在氧浓度梯度内的氧浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566021A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210956769.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 马哈维 , 张惠政 , 林耕竹
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8232
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。半导体装置还包括与第一及第二纳米结构接触的第一隔离结构及与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构。
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公开(公告)号：CN115346921A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210678089.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 彭羽筠 , 陈科夆 , 林耕竹
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板；第一接点结构与第二接点结构，彼此相邻并位于基板上；以及第一介电层与第二介电层，分别形成于第一接点结构与第二接点结构上。第一介电层的顶部可包括第一介电材料。第一介电层的底部可包括第二介电材料，且第二介电材料与第一介电材料不同。第二介电层可包括第三介电材料，且第三介电材料与第一介电材料不同。
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公开(公告)号：CN115566020A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210956764.2
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 马哈维 , 张惠政 , 林耕竹 , 陈维宁
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8232
Abstract: 一种半导体装置，包括第一类型的第一晶体管装置，其包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及在第一纳米结构上的第一栅极电极；形成在第一晶体管装置上方的第二类型的第二晶体管装置，其包括在第一纳米结构上方的第二纳米结构、在第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及在第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极电极；在第一纳米结构及第二纳米结构之间的第一隔离结构；与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构；以及第二隔离结构及第二对源极/漏极结构之间的籽晶层。
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公开(公告)号：CN115377003A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210729705.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 彭羽筠 , 林耕竹
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置，包括晶体管，包括源极/漏极区，包括：前表面和后表面，后表面相对前表面；以及自对准硅化物(salicide)区，在后表面上；通道区，接触源极/漏极区，并包括与源极/漏极区的前表面共平面的前表面；以及栅极结构，设置在通道区的前表面上；以及后侧接触结构，包括：导电接触件，接触自对准硅化物区；以及衬层，围绕导电接触件。
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公开(公告)号：CN114335177A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110880623.2
申请日：2021-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 , 马哈维
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置可采用二维材料层作为多通道晶体管的纳米片通道。二维材料层的纳米片通道在更小的尺寸及/或更少的通道数目下可达相同的驱动电流，因此可减少尺寸及/或促进驱动电流。本发明实施例亦可提供装置中p型与n型的平衡方法，而不需增加装置脚位。
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