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公开(公告)号：CN119758679A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510183754.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外线辐射源模块，包含一目标液滴产生器，配置于产生复数个目标液滴；一第一激光光源，配置于产生复数个第一激光脉冲，第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团；一第二激光光源，配置于产生复数个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标云雾团以产生一等离子体发射极紫外线辐射；一第三和激光光源及一第四激光光源，分别配置于产生一第一激光光束和一第二激光光束，第一激光光束和一第二激光光束被引导至目标云雾团的一行进路径上，且第一激光光束和一第二激光光束基本上平行；以及一监视器，配置于接收由目标云雾团反射的第一激光光束和一第二激光光束。
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公开(公告)号：CN109587918A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811094243.0
申请日：2018-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种极紫外光(EUV)辐射源的控制方法，包括：以来自液滴照射模块的光照射标靶液滴，检测由标靶液滴反射及/或散射的光。此方法包括判定所检测的光强度是否介于可接受范围内。因应所检测的光强度未介于可接受范围内的判定，自动地调整液滴照射模块的参数，以使所检测的光强度落入可接受范围内。
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公开(公告)号：CN109581819A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811094242.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例提供一种放射源设备。上述放射源设备包括一腔室、一标靶液滴产生器、一排气模块、一测量装置以及一控制器。标靶液滴产生器配置以提供多个标靶液滴至腔室。排气模块配置以根据一第一气体流量而将对应于上述标靶液滴的碎屑抽出上述腔室。测量装置配置以测量在腔室中碎屑的浓度。控制器耦接于测量装置与排气模块，并配置以根据碎屑的所测量的浓度而调整第一气体流量。
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公开(公告)号：CN109799683A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201810987706.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开部分实施例提供一种在一微影曝光制程中产生光的方法及光源。上述方法包括利用一燃料标靶产生器产生多个标靶。上述方法还包括测量标靶的一者通过在一移动路径上的两个检测位置的一时间。上述方法也包括利用一激光产生器激发一标靶，以产生发出光的等离子体。另外，上述方法包括当所测量的时间相异于一既定数值时，根据所测量的时间，调整燃料标靶产生器或激光产生器的至少一参数。
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公开(公告)号：CN109581822A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811124986.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了极紫外光辐射的光源及其产生方法、极紫外光微影系统。提供了一种用于极紫外光辐射的光源。光源包括目标液滴产生器、激光产生器、测量装置、以及控制器。目标液滴产生器配置成提供目标液滴至源槽。激光产生器配置成根据控制信号，提供第一激光脉冲，以照射源槽中的目标液滴，进而产生作为极紫外光辐射的等离子体。测量装置配置成测量工艺参数，工艺参数包括源槽的温度、目标液滴的液滴位置、以及第一激光脉冲的光束尺寸以及焦点。控制器配置成根据至少两个工艺参数，提供控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115524937A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210864126.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种使遮罩曝光于极紫外光的方法以及极紫外光微影系统，微影系统能够阻止诸如锡碎屑的污染物进入扫描器中。根据本揭露内容的各种实施例的微影系统包括一处理器、一极紫外光源、一扫描器及一中空连接部件。光源包括用于产生一液滴的一液滴产生器、用于将极紫外光反射至一中间焦点中的一集光器及用于产生预脉冲光及主脉冲光的一光产生器。液滴回应于液滴由预脉冲光及主脉冲光照明而产生极紫外光。扫描器包括一晶圆载台。中空连接部件包括与一排气泵流体连通的一入口。中空连接部件提供中间焦点安置所在的一中空空间。中空连接部件安置于极紫外光源与扫描器之间。
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公开(公告)号：CN115524928A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210094388.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于极紫外微影术的装置及其操作方法与极紫外微影方法，在微影装置的直接焦点附近提供超音波气体喷射头，以便使由微影制程产生的锡碎屑远离扫描仪侧且朝向碎屑收集器件偏转。气体喷射头可以定位在各种有用的定向上，具有可调的气流速度及气体密度，以便防止多至近100％的锡碎屑迁移至扫描仪侧上的倍缩光罩。
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公开(公告)号：CN113267963B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110495908.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。
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公开(公告)号：CN114793381A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210224008.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微影系统和用于检测微影系统中碎屑的方法，极紫外(EUV)微影系统侦测自EUV产生腔室行进至扫描仪的碎屑。微影系统包含侦测光源及感测器。侦测光源输出穿过来自该EUV产生腔室的碎屑粒子行进路径的侦测光。感测器通过侦测碎屑粒子与侦测光的相互作用来感测碎屑粒子。
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