公开(公告)号：CN119698004A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411279409.1

申请日：2024-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周家玥 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  侯承浩 ,  李昆育 ,  林民和 ,  唐宇 ,  江淳修

IPC: H10D1/68 ,  H10D84/00

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器；以及在第一MIM电容器上方形成第二MIM电容器。形成第一MIM电容器包括：在衬底上方形成第一导体板，第一导体板包括第一金属元素；在第一导体板上共形沉积第一介电层，第一介电层包括第一金属元素；在第一介电层上形成第一高K介电层；在第一高K介电层上共形沉积第二介电层，第二介电层包括第二金属元素；以及在第二介电层上方形成第二导体板，第二导体板包括第二金属元素。

公开(公告)号：CN119480826A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411461551.8

申请日：2024-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘子霆 ,  涂文琼 ,  李铭伟 ,  黄镇球 ,  陈殿豪

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/544 ,  H01L23/48 ,  H01L21/66 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开实施例提供了再分布结构，再分布结构包括：金属线；第一介电层，设置在金属线上方；第一蚀刻停止层(ESL)，设置在第一介电层上方；第二介电层，设置在第一ESL上方；以及导电通孔，延伸穿过第二介电层、第一ESL和第一介电层以接触金属线。第二介电层的下部部分向下延伸穿过第一ESL和第一介电层，并且部分延伸至金属线中。本申请的实施例还涉及接触结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119943819A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411560977.9

申请日：2024-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周家玥 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  吴于贝 ,  陈殿豪

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 在实施例中，器件包括：多个再分布线，位于半导体衬底上方，再分布线包括沿半导体衬底延伸的迹线部分；第一钝化层，位于再分布线上方，第一钝化层填充再分布线的迹线部分之间的区的整体；无源器件，位于第一钝化层上方；介电层，位于无源器件上方；以及管芯连接件，延伸穿过介电层，管芯连接件物理和电耦合至无源器件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN118983296A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411015541.1

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂文琼 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  陈淑芳

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开实施例提供了半导体结构，半导体结构包括具有电路区域和电路区域周围的密封环区域的衬底。密封环区域包括多层互连件以形成密封环结构。并且在密封环结构上方形成再分布层。再分布层形成在密封环区域的边缘上，并且从密封环的拐角区域排除。本申请的又一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN118841394A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410662681.1

申请日：2024-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周家玥 ,  沈香谷 ,  余立中 ,  张文苓 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  侯承浩 ,  蔡欣宏 ,  唐宇 ,  李昆育 ,  江淳修

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置包括一第一介电层。一第二介电层设置于第一介电层上方。第二介电层及第一介电层具有不同的材料组成。一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构埋入第二介电层内。一第三介电层设置于第二介电层上方。第三介电层及第二介电层具有不同的材料组成。第一介电层或第三介电层可以包含氮化硅，第二介电层可以包含氧化硅。

公开(公告)号：CN116544219A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310327670.3

申请日：2023-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧远洋 ,  沈香谷 ,  涂文琼 ,  萧琮介 ,  黄镇球 ,  陈殿豪

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本公开一种元件结构。元件结构包含金属‑绝缘体‑金属(Metal‑insulator‑metal；MIM)堆叠。MIM堆叠包含至少一下导体板层、一设置于下导体板层之上的第一绝缘层、一设置于第一绝缘层之上的第一导体板层、一设置于第一导体板层之上的第二绝缘层，以及一设置在第二绝缘层之上的第二导体板层。该元件结构进一步包含一接地导孔和一第一导孔，接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板，而第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第一接地板与高电压板垂直交叠，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。

公开(公告)号：CN118197992A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410189646.2

申请日：2024-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈殿豪 ,  黄镇球 ,  沈香谷 ,  陈淑芳 ,  赖英耀 ,  张文苓 ,  林其锋 ,  张简鹏崇 ,  蓝若琳 ,  池芳仪 ,  林敬伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成晶种层，在晶种层上形成光刻胶层，光刻胶层具有比第二开口宽的第一开口，以第一镀电流执行电镀工艺，以在第一开口中生长第一金属线的底部并且在第二开口中生长第二金属线的底部，以大于第一镀电流的第二镀电流继续电镀工艺，以生长第一金属线的顶部和第二金属线的顶部，去除光刻胶层以暴露晶种层的部分，以及去除晶种层的暴露的部分。本公开的实施例还提供了电镀方法和再分布结构。

公开(公告)号：CN117320540A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311143147.1

申请日：2023-09-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余立中 ,  蔡欣宏 ,  侯承浩 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  陈殿豪

IPC: H10N97/00

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。一种示例性方法包括在衬底上沉积第一导电材料层，图案化第一导电材料以在衬底上方形成第一导体板，在第一导体板上形成第一高K介电层，在第一高K介电层上形成第二高K介电层，在第二高K介电层上形成第三高K介电层，并且形成在第三高K介电层上方并且与第一导体板垂直重叠的第二导体板，其中第一高K介电层的组成与第三高K介电层的组成相同，并且不同于第二高K介电层的组成。

公开(公告)号：CN115867125A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210524236.X

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧琮介 ,  沈香谷 ,  萧远洋 ,  黄镇球 ,  陈殿豪

IPC: H10N97/00

Abstract: 根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包围第三导体板层。该器件结构在用于后段制程无源器件时，减少因角部放电效应引起的泄漏和击穿。

公开(公告)号：CN109817715A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810449654.0

申请日：2018-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄国长 ,  卢富鹏 ,  刘峻昌 ,  黄镇球

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有沟道区；栅极堆叠件，位于沟道区上方；密封间隔件，覆盖栅极堆叠件的侧壁，密封间隔件包括氮化硅；栅极间隔件，覆盖密封间隔件的侧壁，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及第一介电层，覆盖栅极间隔件的侧壁，第一介电层包括氮化硅。本发明的实施例还涉及半导体器件栅极间隔件结构及其方法。