公开(公告)号：CN118983296A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411015541.1

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂文琼 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  陈淑芳

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开实施例提供了半导体结构，半导体结构包括具有电路区域和电路区域周围的密封环区域的衬底。密封环区域包括多层互连件以形成密封环结构。并且在密封环结构上方形成再分布层。再分布层形成在密封环区域的边缘上，并且从密封环的拐角区域排除。本申请的又一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN113421855A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110533897.4

申请日：2021-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王泰元 ,  陈淑芳

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置的形成方法，包括：形成在基板的第一区域上方突出的第一半导体条(strip)以及在基板的第二区域上方突出的第二半导体条；形成隔离区于第一半导体条与第二半导体条之间；在第一半导体条及第二半导体条的多个侧壁上并沿着侧壁形成栅极堆叠；蚀刻沟槽，沟槽延伸至栅极堆叠及隔离区中，且沟槽露出基板的第一区域以及基板的第二区域；形成介电层于沟槽的侧壁及底面上；以及在介电层上及沟槽中填充导电材料以形成接触件，其中接触件在隔离区的最底表面下方延伸。

公开(公告)号：CN107799433B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201610807369.2

申请日：2016-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简宏仲 ,  陈淑芳 ,  陈俊华 ,  谢弘璋 ,  林育贤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。

公开(公告)号：CN107799433A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201610807369.2

申请日：2016-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简宏仲 ,  陈淑芳 ,  陈俊华 ,  谢弘璋 ,  林育贤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。

公开(公告)号：CN107728429A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710542909.3

申请日：2017-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈淑芳 ,  简宏仲 ,  许林弘 ,  谢弘璋

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  G03F7/0035

Abstract: 依据本发明某些实施例，提供一种光刻方法。该光刻方法包括：于一基板上形成一表面修饰层，该表面修饰层包含一亲水性顶部表面；于该表面修饰层上涂布一光致抗蚀剂层；以及将该光致抗蚀剂层显影，从而形成一图案化光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN118197992A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410189646.2

申请日：2024-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈殿豪 ,  黄镇球 ,  沈香谷 ,  陈淑芳 ,  赖英耀 ,  张文苓 ,  林其锋 ,  张简鹏崇 ,  蓝若琳 ,  池芳仪 ,  林敬伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成晶种层，在晶种层上形成光刻胶层，光刻胶层具有比第二开口宽的第一开口，以第一镀电流执行电镀工艺，以在第一开口中生长第一金属线的底部并且在第二开口中生长第二金属线的底部，以大于第一镀电流的第二镀电流继续电镀工艺，以生长第一金属线的顶部和第二金属线的顶部，去除光刻胶层以暴露晶种层的部分，以及去除晶种层的暴露的部分。本公开的实施例还提供了电镀方法和再分布结构。