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公开(公告)号：CN110776830A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910702328.0
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 化学机械研磨工艺所用的研磨组合物含有多个研磨粒子、至少一化学添加剂、与非水溶剂。
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公开(公告)号：CN109822400A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN110491790B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491790A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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公开(公告)号：CN109822400B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN110783255A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910276622.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及一种半导体结构的形成方法。装置的导电结构中的多重金属化方案，采用第一金属层中的离子布植，使第一金属层的一部分可溶于湿式清洁剂。接着以湿式清洁工艺移除可溶部分，再沉积第二金属层于第一金属层上。第二离子布植可形成额外层于第二金属层中，而额外层可用于产生第二金属层溶于湿式清洁剂的可控部分。可由湿式清洁工艺移除第二金属层的可溶部分。可重复沉积金属层、布植离子、与移除可溶部分的工艺，直到提供所需数目的金属层。
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公开(公告)号：CN118197992A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410189646.2
申请日：2024-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12
Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成晶种层，在晶种层上形成光刻胶层，光刻胶层具有比第二开口宽的第一开口，以第一镀电流执行电镀工艺，以在第一开口中生长第一金属线的底部并且在第二开口中生长第二金属线的底部，以大于第一镀电流的第二镀电流继续电镀工艺，以生长第一金属线的顶部和第二金属线的顶部，去除光刻胶层以暴露晶种层的部分，以及去除晶种层的暴露的部分。本公开的实施例还提供了电镀方法和再分布结构。
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公开(公告)号：CN222394812U
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202420893528.5
申请日：2024-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置，包括第一导电部件形成于基板之上；第二导电部件形成于基板之上，且第二导电部件的顶表面的最高点高于第一导电部件的顶表面的最高点；第一保形介电层位于第一导电部件和第二导电部件之上；保形氧化物层位于第一保形介电层上方，保形氧化物层包括设置在第一导电部件正上方的第一部分和设置在第二导电部件上方的第二部分，第一部分的厚度等于第二部分的厚度；第二保形介电层位于保形氧化物层上，第二保形介电层包括非平面的顶表面；多层介电结构位于第二保形介电层上并具有平坦的顶表面；第一接合结构位于第一导电部件上并电性耦合到第一导电部件；第二接合结构位于第二导电部件上并电性耦合到第二导电部件。
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