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公开(公告)号：CN112476228B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010848750.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/013
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
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公开(公告)号：CN110783258A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910589961.3
申请日：2019-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法。方法包含在基底上形成第一金属层，在第一金属层上形成介电层。方法包含在介电层内形成沟槽，以及实施表面处理工艺以在沟槽的侧壁表面上形成疏水层。疏水层是形成在介电层的侧壁表面上。方法还包含在沟槽内和疏水层上沉积金属材料以形成导孔结构。
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公开(公告)号：CN110774059A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910695391.6
申请日：2019-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B37/10 , B24B57/02 , H01L21/304
Abstract: 本公开提供一种化学机械研磨系统，包括一头部、一研磨垫以及一磁系统。化学机械研磨工艺中所使用的浆料含有可磁化的磨料。通过磁系统施加以及控制一磁场，允许精准控制浆料中的可磁化的磨料可如何被拉朝向晶片或被拉朝向研磨垫。
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公开(公告)号：CN103247602B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210203689.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L21/823871
Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110153873B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810151144.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法，研磨设备包含一旋转平台、一研磨垫、一研磨浆提供器以及至少一检测装置。研磨垫是固定地设置于旋转平台上，研磨垫是被配置以被旋转平台旋转。研磨浆提供器是被配置以提供一研磨浆于研磨垫上。至少一检测装置是设置于研磨垫中，检测装置是被配置以检测研磨浆的成分与相对应的浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109822400B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN110783255A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910276622.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及一种半导体结构的形成方法。装置的导电结构中的多重金属化方案，采用第一金属层中的离子布植，使第一金属层的一部分可溶于湿式清洁剂。接着以湿式清洁工艺移除可溶部分，再沉积第二金属层于第一金属层上。第二离子布植可形成额外层于第二金属层中，而额外层可用于产生第二金属层溶于湿式清洁剂的可控部分。可由湿式清洁工艺移除第二金属层的可溶部分。可重复沉积金属层、布植离子、与移除可溶部分的工艺，直到提供所需数目的金属层。
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公开(公告)号：CN102683237A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110307168.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/321
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/12 , G05B2219/49085 , H01J37/32963 , H01L21/3212 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。
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公开(公告)号：CN112518572A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010977945.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 一种化学机械研磨的方法包括将研磨头放置在平台上，此研磨头包括第一磁铁组，以及控制第二磁铁组以在平台上旋转研磨头，其中控制第二磁铁组包括反转第二磁铁组中的至少一个第二磁铁的极性，以在第一磁铁组的至少一个第一磁铁上产生磁力，其中第二磁铁组在研磨头的外部。
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公开(公告)号：CN111113270A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911054011.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/32
Abstract: 本文提供用于清洁研磨垫的方法。本文提供减少修整盘及研磨垫上的金属颗粒污染的化学机械平坦化系统及方法。所述方法可包括将修整盘及至少一导电元件接触电解液接触，并施加直流功率到修整盘及所述至少一导电元件。
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