公开(公告)号：CN116525442A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310210790.5

申请日：2023-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 ,  林佩璇 ,  叶震亚 ,  江木吉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

Abstract: 根据本发明的方法和器件包括具有诸如源极部件的第一晶体管端子和诸如另一源极部件的第二晶体管端子的衬底。在每个源极/漏极部件上形成接触结构。在形成接触结构之后，在接触结构之上的介电材料中形成通孔开口，填充通孔开口以形成从第一源极部件上的接触件延伸至第二源极部件上的接触件的非线性通孔。非线性通孔可以包括在顶视图中具有凸部分和/或凹部分的波状形的轮廓。本申请的实施例还涉及半导体器件和制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN101241931B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710106564.3

申请日：2007-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖忠志 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一栅极介电层，在该半导体衬底上；第一栅极层，在该第一栅极介电层上；第一轻掺杂源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第一栅极介电层，其中该第一轻掺杂源极及漏极区域包含砷元素；及第一深层源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第一栅极介电层，其中该第一深层源极及漏极区域包含磷元素，其中在该第一深层源极及漏极区域中的第一磷结深与在该第一深层源极及漏极区域中的第一砷结深的比率大于3。本发明能够防止因注入杂质而产生管线效应，从而避免产生结漏电流。

公开(公告)号：CN103219380B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210545885.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公开一种器件，所述器件包括半导体鳍状件，在半导体鳍状件的侧壁上的栅极介电层，在栅极介电层上的栅电极以及隔离区。隔离区包括在半导体鳍状件的一侧的第一部分，其中第一部分在部分栅电极下面并且与该部分栅电极对准。半导体鳍状件在隔离区的第一部分的第一顶面上方，隔离区进一步包括所述部分栅电极的相对侧的第二部分。隔离区的第二部分的第二顶面高于隔离区的第一顶面。本发明还公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN103295904B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210207901.9

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 形成轻掺杂漏极(LDD)延伸的系统和方法。实施例包括在半导体鳍片上形成栅电极以及在栅电极上方形成介电层。然后蚀刻栅电极以暴露出半导体鳍片的一部分。鳍片的暴露部分包括LDD延伸。本发明提供具有LDD延伸的FinFET设计。

公开(公告)号：CN105470302A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510411909.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  江木吉 ,  陈昭成

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明提供一种在多栅极器件结构内实施伪栅极结构的结构和方法，其中包括半导体器件，该半导体器件包括将第一有源区和第二有源区分隔开的隔离区。第一有源区邻近隔离区的第一侧而第二有源区邻近隔离区的第二侧。包括源极、漏极和栅极的器件形成在第一有源区内。源极区和漏极区中的其中一个邻近隔离区设置。伪栅极至少部分地形成在隔离区上方且邻近于源极区和漏极区中邻近隔离区设置的其中那个区域。在多个实例中，栅极包括具有第一厚度的第一介电层而伪栅极包括具有大于第一厚度的第二厚度的第二介电层。

公开(公告)号：CN103219380A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210545885.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公开一种器件，所述器件包括半导体鳍状件，在半导体鳍状件的侧壁上的栅极介电层，在栅极介电层上的栅电极以及隔离区。隔离区包括在半导体鳍状件的一侧的第一部分，其中第一部分在部分栅电极下面并且与该部分栅电极对准。半导体鳍状件在隔离区的第一部分的第一顶面上方，隔离区进一步包括所述部分栅电极的相对侧的第二部分。隔离区的第二部分的第二顶面高于隔离区的第一顶面。本发明还公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN1855542A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610066934.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 季明华 ,  江文铨 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件，本发明揭露了于块状硅材上的类平面互补金氧半导体及鳍式场效电晶体的电晶体元件。第一电晶体具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的侧壁上。第二电晶体则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三电晶体具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统电晶体及本发明的类鳍式场效电晶体的电晶体元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。

公开(公告)号：CN103208517B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210546428.7

申请日：2012-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫亦先 ,  陈筱筑 ,  江木吉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种器件，该器件包括衬底、在所述衬底的顶面的隔离区，以及在所述隔离区上方的半导体鳍状件。半导体鳍状件具有小于大约的鳍状件高度，其中鳍状件高度从半导体鳍状件的顶面到隔离区的顶面测量得到。本发明还公开了控制FinFET结构中的鳍状件高度。

公开(公告)号：CN103515195A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310203942.5

申请日：2013-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈华丰 ,  王淑慧 ,  江木吉

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L29/435 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构可以包括位于衬底上的与诸如晶体管的其他器件同时形成的电阻器。图案化在衬底上形成的扩散阻挡层以形成电阻器和位于晶体管栅极下方的阻挡层。以与晶体管的栅极相同的方式和同时在电阻器上形成填充材料、第一连接件和第二连接件。去除填充材料以形成位于衬底上的电阻器。本发明还提供了衬底电阻器及其制造方法。

公开(公告)号：CN103247602A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210203689.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  江木吉 ,  吴燿光 ,  吴璧雰 ,  林焕哲 ,  陆晓慈 ,  黄惠琪

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。