公开(公告)号：CN104995739B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201480008928.2

申请日：2014-02-04

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 山田俊介 ,  堀井拓 ,  木岛正贵

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802

摘要： 一种碳化硅半导体器件(101)，包括碳化硅衬底(10)、主电极(52)、第一阻挡层(70a)以及互连层(60)。主电极(52)直接设置在碳化硅衬底(10)上。第一阻挡层(70a)设置在主电极(52)上且由不包含铝的导电材料制成。互连层(60)设置在第一阻挡层(70a)上，通过第一阻挡层(70a)与主电极(52)隔开，且由包含铝的材料制成。

公开(公告)号：CN107039529A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610971023.6

申请日：2016-10-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴文圭 ,  宋在烈 ,  罗勋奏 ,  黄允泰 ,  尹琪重 ,  玄尚镇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明提供了在栅绝缘膜中具有更少缺陷以及和改善的可靠性的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在基板上的栅绝缘膜和在栅绝缘膜上的栅电极结构。栅电极结构可以包括在栅绝缘膜上顺序层叠的下导电膜、硅氧化物膜和上导电膜。下导电膜可以包括阻挡金属层。

公开(公告)号：CN103178098A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054345.0

申请日：2009-04-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 车泰昊 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  金秉熙 ,  朴嬉淑 ,  白宗玟

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。

公开(公告)号：CN1941410B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200510119862.7

申请日：2005-11-09

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 常虹 ,  李铁生 ,  戴嵩山 ,  伍时谦 ,  安荷叭剌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明介绍了一种改进的槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面。该MOSFET单元还包含通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开出的源接触开口。其中，该区域还拥有一层排列在衬底顶部表面附近的钴-硅层。该MOSFET单元还进一步包含一层Ti/TiN导电层，该导电层覆盖源接触开口上方的、与钴-硅层交界的区域。另外，该MOSFET单元还包含一层在Ti/TiN导电层顶部生成的源接触金属层，该导电层可在此随时键合源连接导线。

公开(公告)号：CN102270660A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010552507.X

申请日：2010-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 亚历山大·卡尼斯基 ,  段孝勤 ,  吴国铭 ,  黄伟宗

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明提供了一种位于基板上的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法，其采用自对准接触物因而可降低沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管的间距尺寸。该晶体管结构包括：第一沟槽与第二沟槽，位于基板上，第一沟槽与第二沟槽衬覆有栅极介电层并为栅极多晶硅所填满；自对准源极接触物，位于第一沟槽与第二沟槽之间，自对准源极接触物连接于源极金属；栅极接触物，位于沟槽之上，沟槽接触物连接于栅极金属与位于第一沟槽内的栅极多晶硅；源极区，环绕自对准源极接触物，其中源极区具有凸出形态。上述自对准接触物借由蚀刻露出的硅区域而形成，无须使用光刻光掩模与对准情形。因而可免除对准容忍度并可降低间距尺寸。

公开(公告)号：CN101540294B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810179115.6

申请日：2008-11-25

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 成敏圭 ,  金龙水 ,  林宽容

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/4941 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造具有界面阻挡层的半导体存储器件的方法，包括形成第一层；同时注入钨源气体和硅源气体，以在该第一层上形成硅化钨层；在该硅化钨层之上形成氮化钨层，而不实施另外供应硅源气体的后清洗工艺；以及在该氮化钨层之上形成第二层。

公开(公告)号：CN101228617B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200680026567.X

申请日：2006-07-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 布伦达·D·克劳斯 ,  尤金·P·马什

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4941 ,  Y10S257/915

摘要： 使用原子层沉积(ALD)形成导电性氮化钛层会产生用于多种电子装置中的可靠结构。通过使用例如TDEAT等含有钛的前体化学品，随后使用氨与一氧化碳的混合物或单独使用一氧化碳，借助原子层沉积将氮化钛沉积到衬底表面上，并进行重复以形成连续沉积的TiN结构，而形成所述结构。此TiN层可用作例如铝或铜等另一导体下方的扩散势垒，或用作铝导体上方的电迁移阻止层。ALD沉积的TiN层具有低电阻率、平滑拓扑、高沉积速率和优良的阶梯覆盖以及电气连续性。

公开(公告)号：CN100550306C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710161097.4

申请日：2007-12-26

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 林宽容 ,  梁洪善 ,  赵兴在 ,  金兑京 ,  金龙水 ,  成敏圭

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/28061

摘要： 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成中间结构，该中间结构形成为包含至少第一金属层和含氮的金属硅化物层的堆叠结构；以及在该中间结构上形成第二导电层。

公开(公告)号：CN101379610A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004787.7

申请日：2007-02-06

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 斯里瓦察·斯里卡恩塔姆 ,  何宜修 ,  弗雷德·塞西诺 ,  詹姆斯·肯特·内勒

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513

摘要： 如下形成一种沟槽栅场效应晶体管。在半导体区中形成沟槽，接下来，形成衬在沟槽的侧壁和底部上并在邻近沟槽的台面区上方延伸的电介质层。在电介质层上方的沟槽底部中形成导电晶种层。在导电晶种层上方生长低电阻材料，其中，该低电阻材料对导电晶种层具有选择性。

公开(公告)号：CN101359657A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810107898.7

申请日：2008-06-13

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 弗兰茨娃·赫尔伯特 ,  郑伟强 ,  张艾伦

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H02M3/155

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： 一种直流－直流升压变换器的多芯片半导体封装具有输出功率肖特基二极管和受功率调节控制器(PRC)控制的低压侧垂直MOSFET。该多芯片封装包括一个有肖特基二极管和垂直MOSFET并排于其上的单芯片基座。该功率调节控制器芯片通过绝缘芯片粘结材料装在该单芯片基座上。作为替换，该单芯片基座接地，垂直MOSFET是一顶部为漏极的垂直N沟道场效应晶体管，肖特基二极管芯片的衬底是其阳极，肖特基二极管和垂直MOSFET以堆叠的方式而位于单芯片基座的上部。功率调节控制器通过标准导电芯片粘结材料装于单芯片基座的上部。肖特基二极管芯片可以使用倒装结构，并以其阴极作为其衬底；或者，肖特基二极管芯片还可以以其阳极作为垫板不使用倒装芯片结构。本发明具有高效力的封装优点。