公开(公告)号：CN101556955A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910133203.7

申请日：2009-03-26

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何佩天 ,  李铁生 ,  李一宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L22/34 ,  H01L29/41 ,  H01L29/7815

Abstract: 本发明提供一种测量晶片上沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构。该沟槽MOSFET阵列具有第一传导型的共漏层，且二维－沟槽MOSFET阵列位于该共漏层的顶部。该二维－沟槽MOSFET阵列具有源级－体区圆柱和栅极沟槽圆柱相互交错设置形成的阵列。每一源级－体区圆柱都有一第二传导型的底部体区，该底部体区上具有向上延伸的指状引脚结构。每一源级－体区圆柱还有第一传导型的顶部源级区域，从而桥接指状引脚结构。本发明的结构包含：a)一个源级－体区圆柱，底部体区上的每一指状引脚结构都具有成形的顶部触点电极；b)分别位于所述源级－体区圆柱的两侧的包含成形的共栅极触点电极的两个绝缘栅极沟槽圆柱。将上述结构连接到外部电压/电流测量器件，测得电阻RP。

公开(公告)号：CN101271855A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810086658.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 楼盈盈 ,  李铁生 ,  王宇 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法以及一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层测试区域之上设有抗蚀性涂层。所述的抗蚀性涂层不覆盖所述的沟槽。所述的材料层被同方向地蚀刻。从涂层下材料的蚀刻特性来测定蚀刻深度。上述方法可应用于形成SGT结构。晶圆包括材料层，所述的材料层至少设置在半导体晶圆表面的一部分上；抗蚀性涂层，所述的抗蚀性涂层包括一个设置在材料层一部分上的三角形测试区域；标尺，所述的标尺标识在接近于测试区域的底层表面上。

公开(公告)号：CN1941410B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200510119862.7

申请日：2005-11-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  李铁生 ,  戴嵩山 ,  伍时谦 ,  安荷叭剌

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明介绍了一种改进的槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面。该MOSFET单元还包含通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开出的源接触开口。其中，该区域还拥有一层排列在衬底顶部表面附近的钴-硅层。该MOSFET单元还进一步包含一层Ti/TiN导电层，该导电层覆盖源接触开口上方的、与钴-硅层交界的区域。另外，该MOSFET单元还包含一层在Ti/TiN导电层顶部生成的源接触金属层，该导电层可在此随时键合源连接导线。

公开(公告)号：CN101127364B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710102457.3

申请日：2007-04-28

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 王宇 ,  李铁生 ,  戴嵩山 ,  常虹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L27/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 该发明公开了一种生产电子线路的半导体晶圆。这种半导体基片进一步包括一个回蚀刻显示器，该显示器包括有不同尺寸的沟槽，沟槽中充填有多晶硅。然后，多晶硅又从那些较大平面尺寸的沟槽中全部清除，但在那些较小平面尺寸的沟槽底部仍然保留有多晶硅。

公开(公告)号：CN101211965A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610171392.3

申请日：2006-12-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  戴嵩山 ,  李铁生 ,  王宇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的屏蔽栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的亚麻介质层覆盖的圆孔组成。圆孔是通过哈同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。圆孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个圆孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。

公开(公告)号：CN101211965B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200610171392.3

申请日：2006-12-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  戴嵩山 ,  李铁生 ,  王宇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的屏蔽栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的绝缘层覆盖的圆孔组成。圆孔是通过各向同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。圆孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个圆孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。

公开(公告)号：CN101556955B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910133203.7

申请日：2009-03-26

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何佩天 ,  李铁生 ,  李一宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L22/34 ,  H01L29/41 ,  H01L29/7815

Abstract: 本发明提供一种测量晶片上沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构。该沟槽MOSFET阵列具有第一传导型的共漏层，且二维-沟槽MOSFET阵列位于该共漏层的顶部。该二维-沟槽MOSFET阵列具有源级-体区圆柱和栅极沟槽圆柱相互交错设置形成的阵列。每一源级-体区圆柱都有一第二传导型的底部体区，该底部体区上具有向上延伸的指状引脚结构。每一源级-体区圆柱还有第一传导型的顶部源级区域，从而桥接指状引脚结构。本发明的结构包含：a)一个源级-体区圆柱，底部体区上的每一指状引脚结构都具有成形的顶部触点电极；b)分别位于所述源级-体区圆柱的两侧的包含成形的共栅极触点电极的两个绝缘栅极沟槽圆柱。将上述结构连接到外部电压/电流测量器件，测得电阻RP。

公开(公告)号：CN1941410A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200510119862.7

申请日：2005-11-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  李铁生 ,  戴嵩山 ,  伍明谦 ,  安荷叭剌

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明介绍了一种改进的槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面。该MOSFET单元还包含通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开出的源接触开口。其中，该区域还拥有一层排列在衬底顶部表面附近的钴－硅层。该MOSFET单元还进一步包含一层Ti/TiN导电层，该导电层覆盖源接触开口上方的、与钴－硅层交界的区域。另外，该MOSFET单元还包含一层在Ti/TiN导电层顶部生成的源接触金属层，该导电层可在此随时生成源结合导线。

公开(公告)号：CN101950720B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010236251.1

申请日：2006-12-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  戴嵩山 ,  李铁生 ,  王宇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的屏蔽栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的介质层覆盖的圆孔组成。圆孔是通过各向同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。圆孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个圆孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。

公开(公告)号：CN101271855B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810086658.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 楼盈盈 ,  李铁生 ,  王宇 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法以及一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层测试区域之上设有抗蚀性涂层。所述的抗蚀性涂层不覆盖所述的沟槽。所述的材料层被同方向地蚀刻。从涂层下材料的蚀刻特性来测定蚀刻深度。上述方法可应用于形成SGT结构。晶圆包括材料层，所述的材料层至少设置在半导体晶圆表面的一部分上；抗蚀性涂层，所述的抗蚀性涂层包括一个设置在材料层一部分上的三角形测试区域；标尺，所述的标尺标识在接近于测试区域的底层表面上。