公开(公告)号：CN1941410A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200510119862.7

申请日：2005-11-09

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  李铁生 ,  戴嵩山 ,  伍明谦 ,  安荷叭剌

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明介绍了一种改进的槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面。该MOSFET单元还包含通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开出的源接触开口。其中，该区域还拥有一层排列在衬底顶部表面附近的钴－硅层。该MOSFET单元还进一步包含一层Ti/TiN导电层，该导电层覆盖源接触开口上方的、与钴－硅层交界的区域。另外，该MOSFET单元还包含一层在Ti/TiN导电层顶部生成的源接触金属层，该导电层可在此随时生成源结合导线。