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公开(公告)号：CN101997033A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010255667.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备，该方法包括制备多个沟道，包含使用第一个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第一个多晶硅区，形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区，包含使用第二个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第二个多晶硅区，形成到第一多晶硅区的第一个电接触，形成到第二多晶硅区的第二个电接触，包含使用第三个掩膜，沉积一个金属层，以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区，包括使用第四个掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134696B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410376659.7
申请日：2010-08-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备，该方法包括制备多个沟道，包含使用第一个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第一个多晶硅区，形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区，包含使用第二个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第二个多晶硅区，形成到第一多晶硅区的第一个电接触，形成到第二多晶硅区的第二个电接触，包含使用第三个掩膜，沉积一个金属层，以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区，包括使用第四个掩膜。
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公开(公告)号：CN101556955A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910133203.7
申请日：2009-03-26
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/66 , G01R31/28
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L22/34 , H01L29/41 , H01L29/7815
Abstract: 本发明提供一种测量晶片上沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构。该沟槽MOSFET阵列具有第一传导型的共漏层，且二维－沟槽MOSFET阵列位于该共漏层的顶部。该二维－沟槽MOSFET阵列具有源级－体区圆柱和栅极沟槽圆柱相互交错设置形成的阵列。每一源级－体区圆柱都有一第二传导型的底部体区，该底部体区上具有向上延伸的指状引脚结构。每一源级－体区圆柱还有第一传导型的顶部源级区域，从而桥接指状引脚结构。本发明的结构包含：a)一个源级－体区圆柱，底部体区上的每一指状引脚结构都具有成形的顶部触点电极；b)分别位于所述源级－体区圆柱的两侧的包含成形的共栅极触点电极的两个绝缘栅极沟槽圆柱。将上述结构连接到外部电压/电流测量器件，测得电阻RP。
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公开(公告)号：CN104134696A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410376659.7
申请日：2010-08-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备，该方法包括制备多个沟道，包含使用第一个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第一个多晶硅区，形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区，包含使用第二个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第二个多晶硅区，形成到第一多晶硅区的第一个电接触，形成到第二多晶硅区的第二个电接触，包含使用第三个掩膜，沉积一个金属层，以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区，包括使用第四个掩膜。
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公开(公告)号：CN101997033B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010255667.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备，该方法包括制备多个沟道，包含使用第一个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第一个多晶硅区，形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区，包含使用第二个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第二个多晶硅区，形成到第一多晶硅区的第一个电接触，形成到第二多晶硅区的第二个电接触，包含使用第三个掩膜，沉积一个金属层，以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区，包括使用第四个掩膜。
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公开(公告)号：CN101556955B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910133203.7
申请日：2009-03-26
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/66 , G01R31/28
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L22/34 , H01L29/41 , H01L29/7815
Abstract: 本发明提供一种测量晶片上沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构。该沟槽MOSFET阵列具有第一传导型的共漏层，且二维-沟槽MOSFET阵列位于该共漏层的顶部。该二维-沟槽MOSFET阵列具有源级-体区圆柱和栅极沟槽圆柱相互交错设置形成的阵列。每一源级-体区圆柱都有一第二传导型的底部体区，该底部体区上具有向上延伸的指状引脚结构。每一源级-体区圆柱还有第一传导型的顶部源级区域，从而桥接指状引脚结构。本发明的结构包含：a)一个源级-体区圆柱，底部体区上的每一指状引脚结构都具有成形的顶部触点电极；b)分别位于所述源级-体区圆柱的两侧的包含成形的共栅极触点电极的两个绝缘栅极沟槽圆柱。将上述结构连接到外部电压/电流测量器件，测得电阻RP。
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