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公开(公告)号：CN108400161A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810174457.2
申请日：2011-05-25
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L29/8725
Abstract: 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。
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公开(公告)号：CN105355653A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510679551.X
申请日：2011-05-25
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L29/8725
Abstract: 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。
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公开(公告)号：CN102270662B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110152215.1
申请日：2011-05-25
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/314 , H01L21/28 , H01L27/10
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L29/8725
Abstract: 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。
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公开(公告)号：CN105702732B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510821015.9
申请日：2015-11-24
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L21/28008 , H01L27/088 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66484 , H01L29/66613 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体衬底中。一个或多个其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与衬底隔开，第二绝缘层将第二导电材料与衬底隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。一个或多个其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。
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公开(公告)号：CN104134696B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410376659.7
申请日：2010-08-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备，该方法包括制备多个沟道，包含使用第一个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第一个多晶硅区，形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区，包含使用第二个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第二个多晶硅区，形成到第一多晶硅区的第一个电接触，形成到第二多晶硅区的第二个电接触，包含使用第三个掩膜，沉积一个金属层，以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区，包括使用第四个掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194699A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110038619.8
申请日：2011-02-10
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L27/088 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。
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公开(公告)号：CN102082147A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010540074.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/41766 , H01L29/47 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/782 , H01L2924/0002 , Y10S257/905 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。
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公开(公告)号：CN106057895A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610215555.7
申请日：2016-04-08
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。
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公开(公告)号：CN102082147B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010540074.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/41766 , H01L29/47 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/782 , H01L2924/0002 , Y10S257/905 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。
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公开(公告)号：CN102194699B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110038619.8
申请日：2011-02-10
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L27/088 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。
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