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公开(公告)号：CN105702677A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510831137.6
申请日：2015-11-25
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L21/82 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/283 , H01L21/822 , H01L27/0262 , H01L27/0814 , H01L29/0649 , H01L29/1016 , H01L29/43 , H01L29/456 , H01L29/66371 , H01L29/7412 , H01L27/0641 , H01L21/76895 , H01L21/82 , H01L23/481 , H01L29/8611 , H01L29/866 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明涉及一种用于高浪涌和低电容的TVS结构。一种瞬态电压抑制（TVS）器件形成在第一导电类型的外延层中，外延层位于半导体衬底上方。TVS器件还包含多个打开的接触沟槽，延伸到第二导电类型的掺杂多晶硅层填充的外延层底部，其中沟槽还被第二导电类型的重掺杂区包围。TVS器件还包含一个金属接触层，沉积在外延层的顶面上，外延层电连接到Vcc电极，其中金属接触层还直接接触掺杂多晶硅层以及第二导电类型的重掺杂区。
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公开(公告)号：CN101552272A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810177718.2
申请日：2008-11-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管(TVS)电路，集成有电磁干扰(EMI)滤波器，设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端，以及用于单向模块结构的设置于半导体衬底底部的接地端，输入和输出端设置于顶部表面，半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容，用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端，而无需介入浮体区域。
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公开(公告)号：CN102194699A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110038619.8
申请日：2011-02-10
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L27/088 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102082147A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010540074.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/41766 , H01L29/47 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/782 , H01L2924/0002 , Y10S257/905 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。
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公开(公告)号：CN105702677B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510831137.6
申请日：2015-11-25
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L21/82 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/283 , H01L21/822 , H01L27/0262 , H01L27/0814 , H01L29/0649 , H01L29/1016 , H01L29/43 , H01L29/456 , H01L29/66371 , H01L29/7412
Abstract: 本发明涉及一种用于高浪涌和低电容的TVS结构。一种瞬态电压抑制（TVS）器件形成在第一导电类型的外延层中，外延层位于半导体衬底上方。TVS器件还包含多个打开的接触沟槽，延伸到第二导电类型的掺杂多晶硅层填充的外延层底部，其中沟槽还被第二导电类型的重掺杂区包围。TVS器件还包含一个金属接触层，沉积在外延层的顶面上，外延层电连接到Vcc电极，其中金属接触层还直接接触掺杂多晶硅层以及第二导电类型的重掺杂区。
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公开(公告)号：CN102082147B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010540074.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/41766 , H01L29/47 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/782 , H01L2924/0002 , Y10S257/905 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。势垒金属可以由第一和第二金属层构成。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。
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公开(公告)号：CN102194699B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110038619.8
申请日：2011-02-10
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L27/088 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。
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公开(公告)号：CN101552272B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810177718.2
申请日：2008-11-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管(TVS)电路，集成有电磁干扰(EMI)滤波器，设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端，以及用于单向模块结构的设置于半导体衬底底部的接地端，输入和输出端设置于顶部表面，半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容，用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端，而无需介入浮体区域。
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