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公开(公告)号：CN103887174B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310675735.X
申请日：2013-12-11
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0251 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7827
摘要： 本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿栅极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物。其中栅极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶栅极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
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公开(公告)号：CN103887175B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310675752.3
申请日：2013-12-11
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/28114 , H01L21/3081 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L23/66 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0292 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物，其中栅极氧化物的底部厚度T2大于栅极氧化物顶部的厚度T1。
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公开(公告)号：CN105702676A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510826873.2
申请日：2015-11-25
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/822 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66734 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66492 , H01L29/66666 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/7828 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L27/0629 , H01L21/822 , H01L29/0847 , H01L29/4175
摘要： 本发明涉及一种与MOSFET集成的增强型耗尽积累/反转通道器件，包含：多个栅极沟槽形成在半导体衬底上方的一个第一导电类型的外延区中；一个或多个接触沟槽形成在外延区中，每个接触沟槽都在两个邻近的栅极沟槽之间；一个或多个第一导电类型的源极区形成在接触沟槽和栅极沟槽之间的外延区顶部；势垒金属形成在每个接触沟槽内；每个栅极沟槽都用导电材料基本填满，导电材料与沟槽壁被一层电介质材料隔开，形成栅极；一个导电类型与第一导电类型相反的重掺杂阱区，位于每个接触沟槽底部附近的外延区中。阱区和栅极沟槽之间的水平宽度约为0.05μm至0.2μm。
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公开(公告)号：CN104143572A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410173266.6
申请日：2014-04-28
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L21/266
摘要： 本发明公开了一种高压MOSFET的结构和处理方法，其是一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件。该半导体功率器件包括形成在半导体衬底顶部的多个沟槽，穿过半导体衬底沿轴向水平延伸，每个沟槽都含有一个非线性部分，包括一个垂直于沟槽轴向的侧壁，该半导体功率器件从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿垂直侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。
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公开(公告)号：CN102194699B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110038619.8
申请日：2011-02-10
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/26586 , H01L21/283 , H01L27/088 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要： 本发明涉及一种用于制备半导体器件的方法，包括利用第一掩膜形成多个沟槽。沟槽包括源极传感沟槽，位于终止区外面以及两个相邻的有源区之间。利用第二掩膜，制成一个中间介质区，将第一和第二传导区分隔开。利用第三掩膜，形成连接到第一传导区的第一导电接头，以及连接到第二传导区的第二导电接头，并形成一个源极金属区。利用第四掩膜，形成到栅极金属区的接触。半导体器件含有一个源极传感接头，位于终止区外面以及器件的有源区外面。
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公开(公告)号：CN105047697A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510155606.7
申请日：2015-04-02
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/407 , H01L21/28008 , H01L21/28114 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要： 一种通过功率MOSFET的分裂栅极中的贯穿多晶硅接头实现分裂多晶硅连接。本发明提出了一种在分裂栅极沟槽晶体管器件中的接触结构，用于连接沟槽内的顶部电极和底部电极。包括一个半导体衬底以及形成在半导体衬底中的一个或多个沟槽。沿沟槽内部侧壁，沟槽内衬绝缘材料。在每个沟槽底部都有一个底部电极，在每个沟槽顶部都有一个顶部电极。底部电极和顶部电极通过绝缘材料分隔开。用导电材料填充的接触结构形成在器件有源区以外的区域中的每个沟槽中，以便连接顶部电极和底部电极。
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公开(公告)号：CN102891169B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210244919.6
申请日：2012-07-16
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/407 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要： 本发明为具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法，公开了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括多个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体衬底的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。
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公开(公告)号：CN102768994B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210138850.9
申请日：2012-04-23
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/768 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/7801 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0891 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/47 , H01L29/4933 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/782 , H01L29/872
摘要： 本发明涉及一种在功率MOSFET内集成肖特基二极管。半导体器件包括多个沟槽，多个沟槽含有在有源区中的有源栅极沟槽，以及在有源区外部的截止区中的栅极滑道/截止沟槽和屏蔽电极吸引沟槽。栅极滑道/截止沟槽包括限定位于有源区外部的台面结构的一个或多个沟槽。第一导电区形成于多个沟槽中。中间电介质区和截止保护区形成于限定台面结构的沟槽中。第二导电区形成于限定台面结构的那部分沟槽中。第二导电区通过中间电介质区，与第一导电区电绝缘。到第二导电区形成第一电接触，到屏蔽电极吸引沟槽中第一导电区形成第二电接触。一个或多个肖特基二极管形成于台面结构中。
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公开(公告)号：CN103887175A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310675752.3
申请日：2013-12-11
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/28114 , H01L21/3081 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L23/66 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0292 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物，其中栅极氧化物的底部厚度T2大于栅极氧化物顶部的厚度T1。
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公开(公告)号：CN103887174A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310675735.X
申请日：2013-12-11
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0251 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7827 , H01L29/66666
摘要： 本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿栅极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物。其中栅极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶栅极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
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