-
公开(公告)号：CN102956708A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286947.4
申请日：2012-08-13
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/647 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2224/0603 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管可以形成在衬底上，具有一个外延层在衬底上，以及一个本体层在外延层上。形成在本体层和外延层中的沟槽，内衬电介质层。屏蔽电极形成在沟槽下部。通过电介质层使屏蔽电极绝缘。栅极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽中，并通过额外的电介质层，与屏蔽电极绝缘。一个或多个源极区形成在本体层中，位于沟槽的侧壁附近。源极垫形成在本体层上方，电连接到一个或多个源极区，并与栅极电极和屏蔽电极绝缘。源极垫提供到源极区的外部接头。栅极垫提供到栅极电极的外部接头。屏蔽电极垫提供到屏蔽电极的外部接头。电阻元件可以电连接在封装中的屏蔽电极垫和源极引线之间。
-
公开(公告)号：CN103247681B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310034093.5
申请日：2013-01-29
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L27/088 , H01L29/0623 , H01L29/0626 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。
-
公开(公告)号：CN105206660A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510570811.X
申请日：2013-01-29
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/45
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L27/088 , H01L29/0623 , H01L29/0626 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247681A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310034093.5
申请日：2013-01-29
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L27/088 , H01L29/0623 , H01L29/0626 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。
-
公开(公告)号：CN103887175A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310675752.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/28114 , H01L21/3081 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L23/66 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0292 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物，其中栅极氧化物的底部厚度T2大于栅极氧化物顶部的厚度T1。
-
公开(公告)号：CN103887174A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310675735.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0251 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7827 , H01L29/66666
Abstract: 本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿栅极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物。其中栅极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶栅极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
-
公开(公告)号：CN103887174B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310675735.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0251 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7827
Abstract: 本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿栅极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物。其中栅极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶栅极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
-
公开(公告)号：CN103887175B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310675752.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/28114 , H01L21/3081 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L23/66 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0292 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物，其中栅极氧化物的底部厚度T2大于栅极氧化物顶部的厚度T1。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.022 seconds)
