公开(公告)号：CN104143572A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410173266.6

申请日：2014-04-28

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 丁永平 ,  雷燮光 ,  马督儿·博德 ,  张磊 ,  金钟五 ,  陈军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种高压MOSFET的结构和处理方法，其是一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件。该半导体功率器件包括形成在半导体衬底顶部的多个沟槽，穿过半导体衬底沿轴向水平延伸，每个沟槽都含有一个非线性部分，包括一个垂直于沟槽轴向的侧壁，该半导体功率器件从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿垂直侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。

公开(公告)号：CN104143572B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410173266.6

申请日：2014-04-28

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 丁永平 ,  雷燮光 ,  马督儿·博德 ,  张磊 ,  金钟五 ,  陈军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种高压MOSFET的结构和处理方法，其是一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件。该半导体功率器件包括形成在半导体衬底顶部的多个沟槽，穿过半导体衬底沿轴向水平延伸，每个沟槽都含有一个非线性部分，包括一个垂直于沟槽轴向的侧壁，该半导体功率器件从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿垂直侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。

公开(公告)号：CN105448738B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510551001.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  张磊 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括一个利用N和P型同步倾斜注入到沟槽侧壁中，制备而成的超级结结构。N和P同步倾斜注入使用不同的注入能量和不同扩散速率的掺杂物，以至于退火后，形成交替的N和P薄半导体区。交替的N和P薄半导体区构成一个超级结结构，其中所形成的空间电荷平衡区提高了半导体器件的击穿电压性能。

公开(公告)号：CN105448738A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510551001.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  张磊 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括一个利用N和P型同步倾斜注入到沟槽侧壁中，制备而成的超级结结构。N和P同步倾斜注入使用不同的注入能量和不同扩散速率的掺杂物，以至于退火后，形成交替的N和P薄半导体区。交替的N和P薄半导体区构成一个超级结结构，其中所形成的空间电荷平衡区提高了半导体器件的击穿电压性能。

公开(公告)号：CN105185825A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510244757.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  胡军 ,  管灵鹏 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  张磊 ,  金钟五

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/66325 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/7393

Abstract: 半导体功率器件可以形成在衬底结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在衬底上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN104143571A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410173265.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 丁永平 ,  张磊 ,  常虹 ,  金钟五 ,  陈军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种用于高压MOSFET的处理方法和结构，提供了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，该半导体功率器件包括多个沟槽，每个沟槽都有一个沟槽终点，终点侧壁垂直于沟槽轴向，从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿终点侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。