公开(公告)号：CN104756258B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380052950.2

申请日：2013-05-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  陈则 ,  西井昭人 ,  增冈史仁 ,  中村胜光 ,  古川彰彦 ,  村上裕二

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 以围绕活性区域(12)的方式形成电场缓和层(13)。电场缓和层(13)具备多个P型杂质层(21～25)。各P型杂质层(21～25)具备：P型注入层(21a～25a)；以及P型扩散层(21b～25b)，以围绕P型注入层(21a～25a)的方式形成，P型杂质的浓度比P型注入层(21a～25a)低。第一P型注入层(21a)与活性区域(12)相接或者一部分重叠地形成。各P型扩散层(21b～25b)形成为具有第一P型扩散层(21b)和第二P型扩散层(22b)相接或者重叠的程度的宽度。P型注入层(21a～25a)彼此的间隔(s2～s5)随着从活性区域(12)朝向半导体基板(11)的外周缘部变大。

公开(公告)号：CN106856166A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510907854.2

申请日：2015-12-09

Applicant: 青岛祥智电子技术有限公司

Inventor： 李春花

IPC: H01L21/332 ,  H01L21/265 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/66363 ,  H01L21/265 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明涉及一种非对称电压放电管及其制造方法。该制造方法包括：氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装等工序。其中，在离子注入工序中，分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源，并将离子源推深至预定深度。本发明一种非对称电压放电管及其制造方法通过在半导体晶片的正反面分别注入不同剂量的离子源，使得经过硼扩散后的半导体晶片PN结附近的杂质浓度不一致，从而使得半导体晶片正反面的击穿电压不一致，可以应用于输入输出端口浪涌电压不一致的芯片防护。

公开(公告)号：CN106328696A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610423688.3

申请日：2016-06-15

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 奥尔加·克雷姆帕斯卡 ,  罗曼·卢普塔克 ,  米夏尔·库博维奇

IPC: H01L29/70 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L21/328 ,  C23C16/44 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/74 ,  H01L29/8613 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2224/03 ,  H01L29/70 ,  C23C16/44 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件，其包括MESA形的双极半导体芯片(1)，其中将第一金属化层(4)布置在半导体芯片(1)的第一主表面(2)上且将第二金属化层(5)布置在半导体芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置为与半导体芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中将氧化铝层(7)布置在半导体芯片(1)的边缘表面(6)上，所述边缘表面环绕半导体芯片(1)周围延伸并且连接第一和第二主表面(2，3)。此外，本发明涉及用于制造半导体元件(10)的方法。

公开(公告)号：CN103531450B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310276648.7

申请日：2013-07-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： Y.加利纳 ,  F.J.尼德诺斯泰德 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7432 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件。提供了一种用于形成横向变化n型掺杂浓度的方法。该方法包括提供半导体晶片，该半导体晶片具有第一表面、与第一表面相对布置的第二表面和具有第一最大掺杂浓度的第一n型半导体层，向第一n型半导体层中注入第一最大能量的质子，并且用掩蔽氢等离子体来局部地处理第二表面。此外，提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN104362150A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410503567.0

申请日：2011-06-28

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  约翰·K·查胡瑞 ,  迈克尔·P·瓦奥莱特

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/66363 ,  H01L27/1027 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/74 ,  H01L2924/1301

Abstract: 本发明涉及闸流管随机存取存储器装置及方法。本发明展示存储器装置及制作存储器装置的方法。所展示的方法及配置提供经折叠及垂直存储器装置以实现增加的存储器密度。所提供的方法减少对例如深掺杂剂植入的制造方法的需要。

公开(公告)号：CN104254907A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380002107.3

申请日：2013-03-29

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  六鎗広野

IPC: H01L21/316 ,  C03C8/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L23/291 ,  C03C3/066 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/66401 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/02142 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体接合保护用玻璃复合物是一种用于形成保护pn结的玻璃层的半导体接合保护用玻璃复合物，并且是由一种玻璃微粒构成且不含填充物的半导体接合保护用玻璃复合物，所述玻璃微粒是从将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制造的，该玻璃原料以预定的含量至少含有ZnO，SiO2，B2O3，Al2O3，以及BaO、CaO和MgO中的至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K。根据本发明，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出可信度高的半导体装置。并且，与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时相比，能够使得烧制由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层时的烧制温度降低，能够制造开关特性优良的半导体装置。

公开(公告)号：CN103700591A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310731526.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 鞍山市华辰电力器件有限公司

Inventor： 张洪伟 ,  于能斌 ,  刘欣宇 ,  王景波

IPC: H01L21/332

CPC classification number: H01L29/66363 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/2225

Abstract: 本发明涉及一种采用烧结工艺制造高压大功率晶闸管的方法，包括以下步骤：工艺环境准备、超声波清洗、硅片漂洗、清洗石英架、石英砣、硅片铝扩散、硅片硼扩散、氧化、一次光刻、磷扩散、割圆、烧结、蒸发、合金、二次光刻、喷砂磨角、旋转腐蚀涂胶保护、测试封装。与现有技术相比，本发明的有益效果是：芯片制造采用硼、铝两次扩散，保证PN结前沿平缓；新型烧结技术保证烧结变形小，粘接牢固，保证扩散参数稳定不变；采用超净工艺环境，精细清洗方法，优质清洗试剂保证长的少子寿命；采用电脑控制扩散，机械磨角、喷角，保证产品参数一致性，使用可靠；制造成本低，成品率高，各项技术性能达到进口同类产品水平。

公开(公告)号：CN103531622A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210232183.0

申请日：2012-07-06

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  颜家圣 ,  吴拥军 ,  杨宁 ,  邹宗林 ,  林煜凤 ,  张明辉 ,  肖彦

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/744 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66363

Abstract: 本发明高压快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸耐压不够高的问题。它的主要特征是：包括管壳下封接件、定位环、半导体芯片、垫片、门极组件、上封接件，硅片包括PNPN三端结构，分为阳极区P1、长基区N1、短基区P2和阴极区N2，三端分别为阳极A、阴极K和门极G，在阳极区P1表面增设阳极区P+，使硅片为P+PNPN三端结构；所述的阴极区N2为均匀分布有旋转环绕门极G的区域，门极G为与阴极区N2对应的渐开线指条。本发明具有能明显提高器件的耐压、保持原设计晶闸管的开通时间不变、并降低通态压降、改善器件的阻断电压水平和通态能力的特点，主要应用于大功率变流电源、串联逆变电源装置。

公开(公告)号：CN101465371B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810186187.3

申请日：2008-12-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 生田哲也

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/7455 ,  H01L29/66363

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括晶闸管，在该晶闸管中，第一导电型的第一区、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的第二区、第一导电型的第三区和第二导电型的第四区依次排列成结。第三区形成在由单元隔离区分隔的半导体基板上。在第三区上设置了栅电极和侧墙，所述栅电极由栅绝缘膜形成，所述侧墙形成于栅电极的两侧的侧壁上。并且第四区的形成使得其一端覆盖第三区的另一端和单元隔离区之间的接合部，并使得第四区的另一端与另一侧的侧墙接合。

公开(公告)号：CN1988173A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610149385.3

申请日：2006-11-16

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 艾曼纽尔·索塞多-夫劳斯

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/747 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L29/66363

Abstract: 一种闸流晶体管和用于制造该闸流晶体管的方法，该方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底具有第一和第二主表面。在半导体衬底中形成第一掺杂区，其中该第一掺杂区自第一主表面延伸到半导体衬底中。第一掺杂区具有垂直边界，且该垂直边界具有凹口部分。在第一掺杂区中形成第二掺杂区，其中该第二掺杂区自第一主表面延伸到第一掺杂区中。在半导体衬底中形成第三掺杂区，其中第三掺杂区自第二主表面延伸到半导体衬底中。