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公开(公告)号：CN106328696A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610423688.3
申请日：2016-06-15
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 奥尔加·克雷姆帕斯卡 , 罗曼·卢普塔克 , 米夏尔·库博维奇
IPC分类号： H01L29/70 , H01L29/73 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L21/328 , C23C16/44 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC分类号： H01L29/0661 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/3185 , H01L29/74 , H01L29/8613 , H01L2221/68336 , H01L2224/06181 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2224/03 , H01L29/70 , C23C16/44 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L29/6609 , H01L29/66234 , H01L29/66363 , H01L29/73 , H01L29/861
摘要： 本发明涉及一种半导体元件，其包括MESA形的双极半导体芯片(1)，其中将第一金属化层(4)布置在半导体芯片(1)的第一主表面(2)上且将第二金属化层(5)布置在半导体芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置为与半导体芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中将氧化铝层(7)布置在半导体芯片(1)的边缘表面(6)上，所述边缘表面环绕半导体芯片(1)周围延伸并且连接第一和第二主表面(2，3)。此外，本发明涉及用于制造半导体元件(10)的方法。
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公开(公告)号：CN107180861A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201610133540.6
申请日：2016-03-09
发明人： 周飞
IPC分类号： H01L29/70 , H01L21/328
CPC分类号： H01L29/66234 , H01L29/70
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区域、环绕第一区域且与第一区域相邻的第二区域，以及环绕第二区域且与第二区域相邻的第三区域；刻蚀衬底，形成鳍部，第一区域的鳍部密度大于第二区域和第三区域的鳍部密度；在第一区域的鳍部内形成垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形的第一开口；在第一开口中形成第一连接层。由于第一区域的鳍部密度较大，鳍部与鳍部之间的距离较小，本发明通过形成垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形的第一连接层，避免所述第一连接层因侧壁具有凸出形貌而发生互相连接，从而避免所述第一连接层的形貌对双极结型晶体管的性能稳定性造成不良影响，进而提高半导体器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN106537586A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580037680.7
申请日：2015-05-14
申请人： 克利公司
发明人： 姆里纳尔·K·达斯 , 亨利·林 , 马塞洛·舒普巴赫 , 约翰·威廉斯·帕尔穆尔
CPC分类号： H01L25/18 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/1608 , H01L29/70 , H01L29/7802 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599
摘要： 一种功率模块包括具有内部腔室的壳体和安装在壳体的内部腔室内的多个切换模块。切换模块互相连接并被配置为促进切换到负载的功率。切换模块中的每个包括至少一个晶体管和至少一个二极管。至少一个晶体管和至少一个二极管可以由宽带隙材料系统(诸如碳化硅(SiC))形成，从而当相比于常规功率模块时，允许该功率模块在高频率以及更低切换损耗下工作。
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公开(公告)号：CN102549774A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043592.5
申请日：2010-07-29
申请人： 摩根阳光公司
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/042 , H01L31/048
CPC分类号： H01L31/0547 , G02B7/183 , H01L29/70 , H01L31/052 , H01L31/18 , H02S20/00 , H02S40/22 , Y02E10/52
摘要： 一种光导太阳能板具有偏转层、光导层以及与光导层光学连通的太阳能电池。偏转层在第一表面接收光并将光输入到光导层。光导层将光传播到太阳能电池，太阳能电池与输入表面大致平行地对准。
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公开(公告)号：CN102549774B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080043592.5
申请日：2010-07-29
申请人： 摩根阳光公司
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/18 , H02S40/22
CPC分类号： H01L31/0547 , G02B7/183 , H01L29/70 , H01L31/052 , H01L31/18 , H02S20/00 , H02S40/22 , Y02E10/52
摘要： 一种光导太阳能板具有偏转层、光导层以及与光导层光学连通的太阳能电池。偏转层在第一表面接收光并将光输入到光导层。光导层将光传播到太阳能电池，太阳能电池与输入表面大致平行地对准。
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公开(公告)号：CN101194364A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680016426.X
申请日：2006-03-30
申请人： 梅尔斯科技公司
发明人： 罗伯特·J.·梅尔斯 , 罗伯特·约翰·史蒂芬森
IPC分类号： H01L29/15 , H01L29/70 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/155 , B82Y10/00 , H01L21/823807 , H01L29/045 , H01L29/152 , H01L29/70 , H01L29/868
摘要： 一种具有可以包含多个堆叠层组的超晶体结构的半导体器件。超晶格结构的每个层组可以包含限定了基础硅部分和其上的能带修改层的多个基础硅单层。该能带修改层可以含有至少一个被约束于相邻的基础硅部分的晶格中的非半导体单层。该半导体元件还可以包含与超晶格相邻的半导体层，该层包括包含第一导电性的掺杂剂的至少一个第一区。超晶格结构还包括包含第二导电性的掺杂剂的至少一个第二区，它与前述的至少一个第一区共同限定至少一个半导体结。
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公开(公告)号：CN204155935U
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201420139779.0
申请日：2014-03-26
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0611 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/70 , H01L29/7416 , H01L2924/13028
摘要： 一种半导体器件。该半导体器件包括IGBT，IGBT具有包括在第一区中的晶体管单元阵列的半导体本体。结终端结构在包围在半导体本体的第一侧处的晶体管单元阵列的第二区中。第一导电类型的发射极区域在半导体本体的与第一侧相对的第二侧处。器件进一步包括二极管。二极管阳极和阴极中的一个包括本体区域。阳极和阴极中的另一个包括：在面对晶体管单元阵列的第二侧处的第二导电类型的多个不同的第一发射极短路区域；以及在面对结终端结构的第二侧处的第二导电类型的至少一个第二发射极短路区域。至少一个第二发射极短路区域与第一发射极短路区域不同。
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