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公开(公告)号:CN106537586A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201580037680.7
申请日:2015-05-14
申请人: 克利公司
发明人: 姆里纳尔·K·达斯 , 亨利·林 , 马塞洛·舒普巴赫 , 约翰·威廉斯·帕尔穆尔
CPC分类号: H01L25/18 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/1608 , H01L29/70 , H01L29/7802 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599
摘要: 一种功率模块包括具有内部腔室的壳体和安装在壳体的内部腔室内的多个切换模块。切换模块互相连接并被配置为促进切换到负载的功率。切换模块中的每个包括至少一个晶体管和至少一个二极管。至少一个晶体管和至少一个二极管可以由宽带隙材料系统(诸如碳化硅(SiC))形成,从而当相比于常规功率模块时,允许该功率模块在高频率以及更低切换损耗下工作。
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公开(公告)号:CN106067423A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201510850097.X
申请日:2015-11-27
申请人: 意法半导体股份有限公司
发明人: F·马奇希
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/495
CPC分类号: H01L23/49537 , H01L21/4821 , H01L21/56 , H01L21/76885 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49558 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L21/4825
摘要: 一种诸如集成电路的电子部件(10),包含至少一个电路(12),所述至少一个电路具有与其耦合的电连接(20,22),所述电连接(20,22)包含导电材料的引线架(20)。所述引线架(20)借助导电材料增材工艺,例如借助3D打印,通过形成具有重叠表面的三维引线结构来制作,所述重叠表面其间具有间隙。
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公开(公告)号:CN103219330B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201310116661.6
申请日:2009-06-10
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L25/11
CPC分类号: H01L23/492 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12044 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH,4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D),半导体芯片(4PH,4PL,4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1,7D2,7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1,12S2),经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c),电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN103219330A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310116661.6
申请日:2009-06-10
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L25/11
CPC分类号: H01L23/492 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12044 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH,4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D),半导体芯片(4PH,4PL,4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1,7D2,7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1,12S2),经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c),电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN102570001A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110319198.6
申请日:2011-10-19
申请人: 索尼公司
CPC分类号: H01L24/49 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6611 , H01L2223/6677 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49109 , H01L2224/49112 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要: 本发明提供了一种天线,该天线包括:设置用于与IC上的信号端口连接的IC接合带、基板接合焊盘、连接在IC接合带与基板接合焊盘之间的接合引线天线(BWA),以及在所述基板接合焊盘附近的谐振腔。本发明的天线改善了天线辐射的一致性和/或辐射的方向性。
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公开(公告)号:CN102195502A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110050229.2
申请日:2011-03-02
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H02M7/48 , H01L25/16 , H01L23/58 , H01L23/498
CPC分类号: H02P6/14 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49112 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03K3/021 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要: 减少向电流驱动型的半导体装置的栅极的因寄生电感而引起的干扰噪声,使栅极驱动高精度化及稳定化。半导体装置(100)包括电流驱动型的半导体元件(3)、控制半导体元件的栅极驱动电路(11)及连接端子部,半导体元件具有:栅极电极焊盘(1),形成在氮化物半导体层的层叠体上;欧姆电极焊盘(2)及(5),连接端子部具有:与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(6);与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(10);与欧姆电极焊盘连接的栅极驱动用端子(7);与栅极电极焊盘连接的栅极端子(8),栅极驱动电路的输入端子与栅极驱动用端子连接,栅极驱动电路的输出端子与栅极端子连接,将栅极驱动电路的基准电位作为欧姆电极焊盘的电位。
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公开(公告)号:CN101256966A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200710196796.2
申请日:2007-12-10
申请人: 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/58 , H01L21/56 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC分类号: H01L23/49575 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/495 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/73153 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/8388 , H01L2224/85 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/07025 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一种包括两个堆叠的半导体芯片的半导体器件及制备方法。具有包括引线框导线和腔的有效区域的引线框装配至诸如胶带的载体材料。包括装配至载体结构并封装在模压复合物中的第一半导体芯片的封装的半导体芯片装配在胶带上。第二半导体芯片装配至封装的半导体芯片。第二半导体芯片上的接合焊盘电连接至引线框、装配有第一半导体芯片的载体结构,或两者。模压复合物在第二半导体芯片、引线框的一部分以及封装的半导体芯片周围形成。胶带被除去且引线框被分割以形成多芯片封装。
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公开(公告)号:CN1770451A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510113234.8
申请日:2005-09-02
申请人: 夏普株式会社
发明人: 樱井祥嗣
CPC分类号: H01L23/5286 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要: 本发明的半导体集成电路器件具有以下结构:在半导体衬底上设置的多个电路块中,对于按照彼此不是并行工作状态的第一电路块(1)和第二电路块(2)而言,共用第一电路块(1)和第二电路块(2)的GND线(G1)。而且,还电连接一个键合焊盘(PD)和GND线(G1)。因此,由于将两个电路块的GND端子设置为一个GND端子,所以就能够减少引线端子的数量。
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公开(公告)号:CN1591852A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN03153845.2
申请日:2003-08-25
申请人: 威盛电子股份有限公司
发明人: 李胜源
CPC分类号: H01L24/06 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49 , H01L2224/49112 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 一种高频集成电路多排线打线结构及其方法,其具有第一电子组件、第二电子组件、芯片垫、及多条金属线。其中,第一电子组件以芯片垫贴于第二电子组件之上,其相对于芯片垫另一侧的表面周围上设置有打线垫以及环绕此打线垫的共面打线垫;芯片垫面对且整圈裸露于第一电子组件外侧的部分形成线状打线垫;第二电子组件面对芯片垫且整圈裸露于芯片垫外侧的周围,相对于打线垫与共面打线垫的位置上设置有多个引脚;金属线可分为信号线及接地线,根据打线垫与共面打线垫上的位置,至少可分为第一列以及第二列,第一列接近线状打线垫,第二列则不是,信号线电连接于打线垫及引脚中与打线垫相对应的其中一个,且第一列上的接地线电连接于线状打线垫。
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公开(公告)号:CN1148803C
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN97121136.1
申请日:1997-10-14
申请人: 夏普株式会社
发明人: 上内元
IPC分类号: H01L23/58
CPC分类号: H01L29/73 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0248 , H01L27/0652 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015
摘要: 本发明揭示一种功率晶体管。包括在成为集电极层的基片表面上选择扩散基极层、且在该基极层上选择扩散发射极层,形成平面型晶体管。在该平面型晶体管的芯片表面的集电极层设置电流检测用电极。在基片的背面形成集电极电极。当晶体管工作、集电极电流流动时,基于基片的电阻、在集电极电极和电流检测用电极之间,生成对应于集电极电流的电压。因此,晶体管能对集电极电流进行检测、并将电流检测信号传送到控制用IC中。
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