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1.

发明公开
使用静电放电(ESD)保护钳位技术的设备审中-实审

公开(公告)号：CN109599396A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811136931.9

申请日：2018-09-27

申请人： 半导体组件工业公司

发明人： M·M·佩莱拉 , S·M·博哈伊竹

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H02H9/046 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L23/60 , H01L27/0251 , H01L27/0288 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1433 , H01L27/0248

摘要： 本申请涉及使用静电放电(ESD)保护钳位技术的设备。在一些实施方式中，本发明公开了一种装置，所述装置可包括设置在所述半导体区域上的后端区域和半导体区域，所述半导体区域包括电子器件。所述后端区域可包括第一端子和第二端子。所述装置可包括电耦接在所述第一端子和所述第二端子之间的绝缘体-金属转变(IMT)材料。

2.

发明授权
印刷复杂的电子电路有权

公开(公告)号：CN105144369B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480013809.6

申请日：2014-03-13

申请人： 尼斯迪格瑞科技环球公司

发明人： 威廉·约翰斯通·雷 , 理查德·奥斯汀·布兰查德 , 马克·戴维·洛温塔尔 , 布拉德利·史蒂文·奥拉韦

IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/075 , H01L33/20

CPC分类号： H01L24/95 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/072 , H01L25/0753 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L33/20 , H01L2221/68381 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/25105 , H01L2224/25174 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/82104 , H01L2224/82143 , H01L2224/92244 , H01L2224/95085 , H01L2224/95101 , H01L2224/95102 , H01L2224/95115 , H01L2224/95143 , H01L2224/95146 , H01L2924/10253 , H01L2924/12 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/13 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H05K1/029 , H05K1/0296 , H05K3/12

摘要： 本发明涉及一种可编程电路，其包含微观晶体管或二极管(40)的经印刷群组(72、74)的阵列。装置经预成形且作为墨水印刷且经固化。每一群组中的所述装置经并联连接，使得每一群组充当单个装置。在一个实施例中，每一群组中含有大约10个装置，因此冗余使得每一群组非常可靠。每一群组具有至少一个电引线(85)，其终接在衬底(50)上的贴片区域(86)中。一互连导体图案使所述贴片区域中的所述群组的至少一些所述引线互连，以针对通用电路的自定义应用形成逻辑电路。所述群组还可被互连为逻辑门，且门引线终接在所述贴片区域中。所述互连导体图案随后使所述门互连以形成复杂逻辑电路。

3.

发明公开
具有延伸到导热电介质片外的导电层的芯片载体有权

公开(公告)号：CN107946258A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710947225.1

申请日：2017-10-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·格拉斯曼 , W·哈布莱 , J·赫格尔 , A·凯斯勒 , I·尼基廷 , A·施特拉斯

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367

CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/4924 , H01L23/49575 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45014 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3677

摘要： 一种芯片载体(100)，其包括导热电绝缘片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106)，其中，所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外。

4.

发明公开
复合型半导体装置无效

公开(公告)号：CN107667422A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680027806.7

申请日：2016-02-22

申请人： 夏普株式会社

发明人： 仲嶋明生 , 一条尚生

IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H02M7/48 , H03K19/003

CPC分类号： H03K17/082 , H01L21/822 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2224/32245 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/13062 , H01L2924/13064 , H02M7/003 , H03K17/0828 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K19/003 , H03K2017/6875 , H01L2224/37099 , H01L2224/84

摘要： 提供低导通电阻且负荷短路时的耐受性高的复合型半导体装置。在具备互相级联的常通型第一FET(Q1)及常断型第二FET(Q2)的复合型半导体装置(10)中，在对第一FET(Q1)的漏极施加的电压为400V的情况下，设从连接于复合型半导体装置(10)的负荷的短路开始的时间点的经过时间为短路后经过时间T；设第二FET的导通电阻的值为RonQ2，所述第一FET的阈值电压为VTHQ1，在所述第一FET的栅极电压为0V的时候，所述第一FET的饱和状态下之所述第一FET的漏极电流为Idmax1；短路后经过时间T≧2μsec的期间，限制成在防止所述第一FET的破坏程度内的漏极电流为Idmax的时候满足以下数学式的关系。

5.

发明授权
用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法有权

公开(公告)号：CN103943518B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201410026183.4

申请日：2014-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： L.伯维

IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/58 , H01L21/60

CPC分类号： B22F7/08 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32238 , H01L2224/48091 , H01L2224/48229 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83002 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/83986 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/83205

摘要： 用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法。为了在第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）之间制造牢固接合的连接，首先提供第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）。第一接合伙伴（1）具有第一连接面（11）以及与第一连接面（11）不同的、待保护的表面片段（12）。第二接合伙伴（2）具有第二连接面（21）。在待保护的表面片段（12）上施加保护层（3），使得待保护的表面片段（12）完全被所述保护层（3）覆盖。在将保护层（3）施加在待保护的表面片段（12）上的状态下，在第一连接面（11）与第二连接面（21）之间制造出牢固接合的连接。在制造了牢固接合的连接之后，又将保护层（3）从所述待保护的表面片段（12）至少部分地去除。

6.

发明授权
半导体器件和半导体器件制造方法有权

公开(公告)号：CN104350596B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380028421.9

申请日：2013-05-16

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 初川聪

IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18

CPC分类号： H01L23/48 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L27/0203 , H01L2224/0603 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 提供一种允许多个半导体芯片让相同的电流流过的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例的半导体器件(1)包括：多个第一半导体芯片(101至10N)和电路板(30)，被安装有多个第一半导体芯片，具有被电气地连接到多个第一半导体芯片的第一和第二布线导体(32A，32B)。多个第一半导体芯片与第一和第二布线导体共同被并联地连接以便构造第一并联电路(60)。根据多个第一半导体芯片的导通电阻多个第一半导体芯片被布置在电路板上，以便相同的电流流过多个第一半导体芯片。

7.

发明授权
半导体模块装置和用于生产及运行半导体模块装置的方法失效

公开(公告)号：CN103579142B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310325605.3

申请日：2013-07-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 赖因霍尔德·巴耶尔埃尔

IPC分类号： H01L23/473 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/367 , H01L21/50 , H01L23/049 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/4093 , H01L23/49811 , H01L25/072 , H01L2224/48227 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H05K1/0209 , H05K1/141 , H05K3/0061 , H05K2201/0373 , H05K2201/042 , H05K2201/09781 , H05K2201/10166 , H05K2201/10303 , H05K2201/10371 , H05K2201/10409 , H01L2924/00

摘要： 半导体模块装置，包括半导体模块（5），具有：上侧（55）、与该上侧（55）相对的下侧（56）、以及多个形成在该上侧（55）上的电连接接触件（42）。模块装置还包括印刷电路板（7）、带有装配面（65）的冷却体（6）和一个或多个将印刷电路板（7）固定在冷却体（6）上的紧固件（8）。在此，或在半导体模块（5）的下侧（56）设计多个突起（92），并在冷却体（6）的装配面（65）上设计多个容纳突起（91）的容纳区域（92），或在冷却体（6）的装配面（65）上设计多个突起（91），并在半导体模块（5）的下侧（56）设计多个容纳突起（91）的容纳区域（92）。对于每种情况，每个突起（91）都延伸至其中一个容纳区域（92）内。

8.

发明授权
芯片封装和用于制造该芯片封装的方法有权

公开(公告)号：CN104051363B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410094226.2

申请日：2014-03-14

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.德赫 , H.埃韦 , J.赫格劳尔 , J.马勒 , R.皮塔西 , A.普罗伊克尔

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488

CPC分类号： H01L23/5389 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/5381 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2223/54486 , H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00

摘要： 芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体；由所述金属芯片载体承载的至少一个芯片；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；以及多个重新分布层，其被设置在与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。

9.

发明授权
电热冷却器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103515335B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310249122.X

申请日：2013-06-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.奥特伦巴

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/34 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/50

CPC分类号： H01L23/38 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/12036 , H01L2924/12044 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/181 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本发明公开了电热冷却器件及其制造方法。在一个实施例中，一种半导体模块包括具有第一侧和相对的第二侧的引线框。半导体芯片被布置在所述引线框的第一侧上方。开关元件被布置在所述引线框的第二侧下方。在另一实施例中，一种形成半导体模块的方法包括提供具有引线框的半导体器件。半导体芯片被布置在所述引线框的第一侧上方。开关元件被附着在所述引线框的相对的第二侧。