公开(公告)号：CN103516338B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201310237789.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金泽孝光 ,  秋山悟

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及使用该半导体器件的系统，具有常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET。常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET级联连接，构成开关电路。根据一个输入信号，常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET被控制成具有两个晶体管都设置为截止状态的期间。利用本发明，能够防止级联连接的常通型的JFET和常断型的MOSFET的半导体器件存在因误传导等而被击穿。

公开(公告)号：CN107104057A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710264506.7

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金泽孝光 ,  秋山悟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/065

Abstract: 提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，形成在半导体芯片(CHP1)的表面的栅极焊盘(GPj)以相较于其他引线(漏极引线(DL)和栅极引线(GL))更靠近源极引线(SL)的方式配置。其结果为，根据本发明，能够缩短栅极焊盘(GPj)与源极引线(SL)之间的距离，因此，能够缩短连接栅极焊盘(GPj)和源极引线(SL)的导线(Wgj)的长度。由此可知，根据本发明，能够充分地降低存在于导线(Wgj)的寄生电感。

公开(公告)号：CN103516338A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310237789.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金泽孝光 ,  秋山悟

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L27/0883 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02P27/06 ,  H03K3/012 ,  H03K17/102 ,  H03K17/107 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及使用该半导体器件的系统，具有常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET。常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET级联连接，构成开关电路。根据一个输入信号，常通型的SiCJFET和常断型的Si型MOSFET被控制成具有两个晶体管都设置为截止状态的期间。利用本发明，能够防止级联连接的常通型的JFET和常断型的MOSFET的半导体器件存在因误传导等而被击穿。

公开(公告)号：CN107104057B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201710264506.7

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金泽孝光 ,  秋山悟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/065

Abstract: 提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，形成在半导体芯片(CHP1)的表面的栅极焊盘(GPj)以相较于其他引线(漏极引线(DL)和栅极引线(GL))更靠近源极引线(SL)的方式配置。其结果为，根据本发明，能够缩短栅极焊盘(GPj)与源极引线(SL)之间的距离，因此，能够缩短连接栅极焊盘(GPj)和源极引线(SL)的导线(Wgj)的长度。由此可知，根据本发明，能够充分地降低存在于导线(Wgj)的寄生电感。

公开(公告)号：CN103843122B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201180073865.5

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金泽孝光 ,  秋山悟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

Abstract: 提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，形成在半导体芯片（CHP1）的表面的栅极焊盘（GPj）以相较于其他引线（漏极引线（DL）和栅极引线（GL））更靠近源极引线（SL）的方式配置。其结果为，根据本发明，能够缩短栅极焊盘（GPj）与源极引线（SL）之间的距离，因此，能够缩短连接栅极焊盘（GPj）和源极引线（SL）的导线（Wgj）的长度。由此可知，根据本发明，能够充分地降低存在于导线（Wgj）的寄生电感。

公开(公告)号：CN105280625A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510293629.4

申请日：2015-06-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋山悟 ,  小林宏嘉 ,  猪股久雄 ,  齐藤正

IPC: H01L25/07 ,  H01L29/808 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和电子设备，其改进了半导体装置的制造成品率。提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置，其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET，以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时，半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9)，以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。

公开(公告)号：CN103843122A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180073865.5

申请日：2011-09-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金泽孝光 ,  秋山悟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

Abstract: 提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，形成在半导体芯片（CHP1）的表面的栅极焊盘（GPj）以相较于其他引线（漏极引线（DL）和栅极引线（GL））更靠近源极引线（SL）的方式配置。其结果为，根据本发明，能够缩短栅极焊盘（GPj）与源极引线（SL）之间的距离，因此，能够缩短连接栅极焊盘（GPj）和源极引线（SL）的导线（Wgj）的长度。由此可知，根据本发明，能够充分地降低存在于导线（Wgj）的寄生电感。