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    反相时钟产生电路和寄存器
    1.
    发明授权
    反相时钟产生电路和寄存器 有权

    公开(公告)号：CN106341104B

    公开(公告)日：2019-06-11

    申请号：CN201610672084.2

    申请日：2016-08-15

    申请人： 华为技术有限公司

    发明人： 陈旗 ,  钟建福 ,  曾秋玲 ,  夏禹

    IPC分类号： H03K3/012 ,  H03K3/86 ,  G06F15/76

    CPC分类号： H03K3/012 ,  H03K5/159

    摘要： 一种反相时钟产生电路，其中：第一PMOS管和第二PMOS管的源极与电源相连，第一PMOS管和第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极相连，第三PMOS管的漏极经第一延迟线电路与第三NMOS管的漏极相连；第三PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，第二NMOS管的源极和第一NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极和第三NMOS管的源极接地。第一PMOS管和第一NMOS管的栅极为SI信号的输入端，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极为SE信号的输入端，第三PMOS管和第三NMOS管的栅极为时钟信号的输入端，第三PMOS管的漏极和第一延迟线电路的连接节点为反相时钟产生电路的输出端。

    一种比较器及低功耗振荡器
    3.
    发明授权
    一种比较器及低功耗振荡器 有权

    公开(公告)号：CN105610412B

    公开(公告)日：2018-08-14

    申请号：CN201510983734.0

    申请日：2015-12-24

    申请人： 深圳创维-RGB电子有限公司 ,  深圳创维半导体设计中心有限公司

    发明人： 左事君 ,  杨智昌 ,  杨孝骏

    IPC分类号： H03K3/012

    CPC分类号： H03K17/14 ,  G05F3/16 ,  H03K3/012 ,  H03K3/023 ,  H03K3/0231 ,  H03K5/088 ,  H03K5/2481

    摘要： 本发明公开了一种比较器及低功耗振荡器。其中，所述比较器包括电流镜模块、比较模块和缓冲输出模块，所述低功耗振荡器包括电容、电流偏置模块、开关模块和所述比较器，比较模块包括正输入端、第一负输入端和第二负输入端，所述电容连接比较器的正输入端，当电容电压小于比较器的第一负输入端的低阈值电压时，比较器输出低电平至开关模块，由开关模块控制电流偏置模块给电容充电；当电容电压大于比较器的第二负输入端的高阈值电压时，比较器输出高电平至开关模块，由开关模块控制电流偏置模块给电容放电，从而通过一个比较器即实现了对电容的周期性充放电，并输出振荡信号，减少了比较器的数量，简化了电路结构，降低了电路功耗及产品成本。

    冗余时钟转变容限锁存电路
    4.
    发明授权
    冗余时钟转变容限锁存电路 有权

    公开(公告)号：CN105048998B

    公开(公告)日：2018-07-20

    申请号：CN201510162339.6

    申请日：2015-04-08

    申请人： 恩智浦有限公司

    发明人： 维巴胡·夏尔马 ,  阿杰伊·卡谱

    IPC分类号： H03K3/012

    CPC分类号： H03K3/012 ,  H03K3/35625

    摘要： 描述了一种锁存电路和一种操作锁存电路的方法的实施例。在一个实施例中，锁存电路包括：输入端子，配置为接收输入数据信号；开关单元，配置为控制输入数据信号的施加；第一反相器电路，与所述开关单元相连，其中所述第一反相器电路包括第一交叉耦合反相器对；以及第二反相器电路，通过所述开关单元与所述第一反相器电路相连。第二反相器电路包括第二交叉耦合反相器对和两个晶体管装置。第二交叉耦合反相器对的每一个反相器通过相应的晶体管装置与电压轨相连。两个晶体管装置各自与位于开关单元和第一反相器电路或第二反相器电路之间的节点相连。还描述了其他实施例。

    低功率架构
    6.
    发明授权
    低功率架构 有权

    公开(公告)号：CN105144579B

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：CN201480013290.1

    申请日：2014-03-14

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： M·J·布鲁诺利

    IPC分类号： H03K3/037 ,  H03K3/356

    CPC分类号： H03K3/012 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356104

    摘要： 本文描述了用于在阈下区域附近或阈下区域中操作晶体管以降低功耗的系统和方法。在一个实施例中，一种用于低功率操作的方法包括经由包括多个晶体管的时钟路径(225)将时钟信号(Ck)发送到触发器(150)，其中该时钟信号具有与高于时钟路径(225)中的晶体管的阈值电压的高电压(VH)相对应的高状态。该方法还包括经由包括多个晶体管的数据路径(135)将数据信号(D)发送到该触发器(150)，其中该数据信号具有与低于数据路径(135)中的晶体管的阈值电压的低电压(VL)相对应的高状态。该方法还包括在触发器(150)处使用时钟信号(Ck)来锁存数据信号(D)。

    半导体集成电路及其动作方法
    8.
    发明授权
    半导体集成电路及其动作方法 有权

    公开(公告)号：CN104184308B

    公开(公告)日：2018-05-18

    申请号：CN201410216441.5

    申请日：2014-05-21

    申请人： 瑞萨电子株式会社

    发明人： 梅山竹彦

    IPC分类号： H02M1/08

    CPC分类号： H02J9/06 ,  G06F1/263 ,  H03K3/012 ,  H03K3/356104 ,  H03K5/2481 ,  Y10T307/549

    摘要： 一种半导体集成电路及其动作方法，降低在电源供给电路执行对主电源的电源电压和来自辅助电源的备份电源电压的选择时的电压下降，减轻辅助电源的功耗。半导体集成电路的电源供给电路具备测量电路、开关控制电路和开关电路，开关电路包括：第1开关元件，连接于被供给主电源电压(VM)的第1输入端子与输出端子之间；第2开关元件，连接于被供给辅助电源电压(VB)的第2输入端子与输出端子之间。测量电路通过第1输入端子的主电源电压而动作，将(VM)和(VB)进行比较。在(VM)是比(VB)低的电压的情况下，响应测量电路的判定信号(SD)，开关控制电路将开关电路的第1开关元件和第2开关元件分别控制为截止状态和导通状态。